SGOI材料的SIMOX制备技术.docVIP

中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士学位论文 SGOI材料的SIMOX制备技术研究 姓名：陈志君 申请学位级别：博士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：张峰  因而成为应变硅技术应用的新型衬底材料。利用??材料作为衬底生长的应变硅材 料，由于载流子迁移率的提高，可以实现现有线宽下，??性能的提高。然而，载 流子迁移率的提高效率是由应变硅的应变大小决定的，也就决定于??中锗含量大 小。理想的??衬底要求锗含量达到?％以上以使电子、空穴迁移率提高到饱和值。 备的??材料锗含量难以超过?％，这主要是由于随着锗含量的提高，硅锗的熔点 逐渐降低，高质量的埋氧层形成所需要的高温退火条件不能满足。锗含量超过?％以 上时，高温退火造成严重的锗损失和品格质量恶化。 是改进???际醪⒂糜赟??闹票负蚐??剂量、能量的匹配关系研究。 本论文讨论了??材料的热氧化特性与氧化气氛的关系。通过工艺优化实现了 无?．???的??热氧化。研究发现，??氧化特性对氧化气氛具有选择性，其 本质是氧化传质机理的不同。 为解决锗损失的难题，本文提出了??甋??技术，先生长一二氧化硅盖帽层， 使锗在退火过程中不能轻易扩散流失出去，再进行离子注入，注入剂量和能量分别为 ?????????，最后进行高温退火。研究发现，采用这种新工艺制备得到了高 质量的??材料，硅锗组分均匀，晶格质量较好，??鄄饷挥蟹⑾秩毕荽嬖冢琗 射线摇摆曲线和拉曼光谱分析发现顶层硅锗锗含量提高到约?％，而且应变弛豫完 全，且埋氧层连续，无硅岛。??甋??技术的提出将??材料的锗含量上限提 高到了?％，在此基底上运用应变硅技术可以达到电子迁移率提高的饱和值。 在此基础上，本文还对??甋??技术进行了工艺优化，将氧化工艺与退火工 制备得到了高质量的??材料，??档啦?钗?％。研究发现，氧化增强注氧隔 中圉科学院上海微系统与信息技术研究所博士学拉论文  为扩大??甋??技术的应用范围，本文还系统地研究了注入剂量、能量等工 埋氧层的形成机制进行了探讨。我们提出高质量的??结构的形成，是发射间隙硅 原子???? 观测：对??材料的锗浓缩工艺做了一些尝试；从工艺优化角度，提出了将锗浓缩 此领域的应用奠定了基础。 关键词：掩盖注氧隔离技术，氧化增强注氧隔离技术。 绝缘体上的锗硅，应变硅 中囤科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文  ???? ????? ??????????? ?????：?? ???? ? ? ????? ?????? ? ? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ? ?????． ? ?? ?????甌? ? ? ? ????? ?％， ? ?? ?????? ? ?? ????? ??? ? ????? ? ?????．?????? ??? ?? ????? ? ???????瑆?? ? ? ????? ?? ??—??????? ??????? ? ??? ? ??甿 ?? ?????? ? ???????? ? 中固科学院上海微系统与信．熟技术研究所博士学位论文  ? ????? ??? ???? ? ?? ? ???? ? ?? ????甌? ? ????? ?? ? ???? ?? ??． ? ????? ? ?? ? ? ? ????? ? ? ?? ? ?? ? ? ? ? ? ?? ????? ?曲 ?????? ??? ?? ???猄?? ?????? ?? ? ?????? ??? ? ?? ????甌? ??×?? ??? ? ??? ? ? ?? ?? ????? ???????? ??? ??． ? ? ????籱 ??? ? ? ?? ????? ? ???? ??? ?????? 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文  ?????? ??? ???? ?????． ? ?? ? ?????．? ? ? ????：?????琌???????? 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学住论文  第一章引言 ??集成电路的新材料与新工艺 ?? ??年美国德克萨斯仪器公司??发明了集成电路??，自此一个前所未有 ??的技 术也已走出实验室，进入实际生产阶段。例如，台积电公司???已经开发出? 于??年推出采用? ???硅片上制造的?????⒋?砥鱗?。 ??器件在按比例缩小时电路中金属连线的?延时几乎不缩小。目前，?? 芯片中连线所占的面积已经超过器件所占的面积。因此，连线?延时的降低已经成 中国科学院上海微系统与信息技书研究所博士学值论文  第一章引言 为～个关键的问题。另外，随着连线宽度的减小，连线中电流密度相应增大，连线的 电迁移?????????现象更加