Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料生长方法的对比.docVIP

长春理工大学 硕士学位论文 Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料生长方法的对比研究 姓名：王勇 申请学位级别：硕士 专业：光学工程 指导教师：王晓华 2002.6.1  摘要 ??鵯?丝旗筮堂垦簦挝型具有极其广泛和潜在的应用前 景，、然而在?衬底上却难以生长出高质量的外延片。在?一Ⅵ族 材料外延生长之前采取一些必要的对?衬底的处理措施可以显 著的提高晶体的外延质量。斗一 终止法、氮化法、等离子体轰击方法、两步生长法、溅射缓冲层 技术??、扫描电子显微术???⑼干涞缱酉晕⑹???等 下的光致发光光谱分析，发现外延晶体的生长质量得到了明显提 高。在实验过程中，我们也发现?一Ⅵ族源气体的流量比、衬底温 度、退火时间和退火温度对外延晶体的生长质量也有重要的影响。 ? 关键词：晶体生长，金属有机化学汽相淀积，等离子体增强 缓冲层，两步生长，Ⅱ一Ⅵ比，退火。  ???? ?? ?——? ?? ?? ? ? ??? ? ? ? ?Ⅱ一????? ?????． ? ??—?? ? ?? ? ? ?? ? ??????????琋?????， ? ??? ??? ????? ???? ? ??? ??琍?琒? ??琣?????? ???琑?? ?? ?? ? ???? ?? ????????．? ?? ??????．? ?? ?—? ? ?? ???? ? ?? ? ???? ??? ??? ?? ???，?—? ??，  绪论 §?? 和???有较宽的带隙和较大的激子束缚能，是直接带隙光跃 迁半导体材料。它作为一种理想光发射材料，被广泛的应用于军 用、医疗、通讯等光学及光电领域，并展现出美好的应用前景。 半导体短波光电器件的研究，多年来由于没有找到理想的材料一 直困扰着人们。宽禁带?．Ⅵ族半导体过去长期以来由于其单极导 电性，使之难以制成?猲结。 ??是一种典型的宽带隙?．Ⅵ族化合物半导体材料?”，具 记录、全色光显示、以及海底应用的关键器件【?】。??器件的 应用已进入商品化阶段，而商品化的最后障碍是寿命问题【?。 ??是一种重要的?．Ⅵ族化合物半导体材料【?讲】，室温条 件下??．??，可用作制备窄带隙???红外探测器的衬底 材料。??具有潜在的商业应用价值，如制备??太阳能电池， ??．??，它具有良好的光电和压电性质【?】，可用来制备发光 二极管??????短波长半导体二极管激光器??、超薄电极 ??薪洗蟮募ぷ邮?磕?????和较高的量子效率，可用 料，具有较强的机电耦合系数，也是制备高频表面声波器件的首 选材料【?????。  §?? ?作为衬底的意义 ?是第Ⅳ族单质半导体，材料价格低廉，器件制作工艺非常 成熟，而且具有热稳定性好等优点，被视为晶体外延生长的最有 前途的衬底材料之一。又由于?具有易集成的特点，因此它在微 电子集成领域也得到最广泛的应用。随着各种光电器件及超大规 基光电子器件、光电子集成???已成为研究热点，并取得很 大的进展???。在?衬底上生长?．Ⅵ族发光晶体材料展示出其 它衬底所无可比拟的优越性，它是实现未来光集成、光计算的基 础。有人预言：?作为机械衬底，将引发～场集成光路的技术革 命【?】。因此，?基?．Ⅵ族发光晶体材料的制备与研究具有着划 时代的历史意义。 §?? ?衬底上生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体 所存在的问题及解决办法 ?基?一Ⅵ族发光晶体材料具有着诱人的应用前景，然而，在 ?衬底上却难以生长出高质量的?一Ⅵ族外延片，其原因是在要 生长的?一Ⅵ族化合物与?衬底之问存在着晶格失配及热膨胀系 数不同的问题Ⅲ。另外它们之间也存在着非极性衬底和极性材料 ?。因此要在?衬底上生长高质量的 以??为例，过去，人们对室温连续波??激光器??和 ????”? ?． 它们占据了??的格点位置而最终导致了??器件寿命的降低 ?。为了延长??器件的使用寿命，提高它的商业应用价值，在 生长过程中引入的缺陷，尤其是堆垛层错必须得到控制?】。 我们知道，在??和?之间存在的一??％的晶格失配及热 膨胀系数的不同，是引起晶体缺陷及位错特别是堆垛层错的主要 生长极性材料而导致的界面电荷失衡问题【?縪再者，在??生长 的最初阶段存在着?与?之间的化学反应，形成了一层很薄的  导致了高密度晶体缺陷的形成。 国内外研究现状及论文的主要研究内容 §?? ㈠、国内外现状： 所引入的缺陷密度，目前国内外许多学者都在这一领域进行了大 量的探索和不懈的努力，摸索出了一些在材料生长之前对衬底进 行处理的方法，大大的提高了晶体的生长质量。 这些方法大致可以归结为以下几类： 在晶体外延生长过程中，由于在?衬底与要生长的?．Ⅵ族材 然而，被氢终止的?表面并不稳定，容易被二次氧化，所以 此方法应该与其它方法配合使用。 在材