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場效應晶體管 組員：文淩 文利 劉懷 張翔 潘紅銳 辜海金 製作人：全體組員 场效应管的实物图 場效應晶體管的概念 概念： 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET）），簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。 P沟道结型场效应管的符号和主要特性参数  符号： 場效應晶體管的特點 特點： 它具有輸入電阻高（108~109歐）,噪音小，功耗低，動態範圍大，易於集成，沒有二次擊穿現象，安全工作區域寬等優點，先已成為雙極性晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應晶體管的作用 場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 場效應管很高的輸入阻抗非常適合做阻抗交換。常用於多級放大器的輸入級做阻抗交換 場效應管可以用作可變電阻。 場效應晶體管可以方便的用作橫流源。 場效應管還可以用作開關。 場效應晶體管的分類 場效應晶體管分結型和絕緣型(MOS)兩大類 按溝道材料：結型和絕緣型各分N溝道和P溝道兩種。 按導電方式：耗盡星與增強型，結型場效應晶體管均為耗盡星，絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的也有增強型的 場效應晶體管可以分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。 場