【2017年整理】可控硅元件的结构和型号.docVIP

可控硅元件的结构和型号 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 一、可控硅元件的结构和型号 1、结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。 2、型号 目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。 表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表 参数/序号 部颁新标准（JB1144-75） 部颁旧标准（JB1144-71） KP型右控硅整流元件 3CT系列可控硅整流元件 1 额定通态平均电流（IT（AV）） 额定正向平均值电流（IF） 2 断态重复峰值电压（UDRM） 正向阻断峰值电压（UPF） 3 反向重复峰值电压（URRM） 反向峰值电压（VPR） 4 断态重复平均电流（IDR（AV）） 正向平均漏电流（I） 5 反向重复平均电流（IRR（AV）） 反向平均漏电电流（IRL） 6 通态平均电压（UT（AV）） 最大正向平均电压降（VF） 7 门极触发电流（IGT） 控制极触发电流（Ig） 8 门极触发电压（UGT） 控制极触发电压（Vg） 9 断态电压临界上升率（du/dt） 极限正向电压上升率(dV/dt） 10 维持电流（IH） 维持电流（IH） 11 额定结温（TjM） 额定工作结温（Tj） KP型可控硅的电流电压级别见表2 表2 KP型可控硅电流电压级别 额定通态平均 电流IT（AV）（A） 1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100 正反向重复 峰值电压UDRM， URRM（×100）（V） 1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30 通态平均电压 UT(AV)(V) A B C D E F G H I ≤0.4 0.4～0.5 0.5～0.6 0.6～0.7 0.7～0.8 0.8～0.9 0.9～1.0 1.0～1.1 1.1～1,2 示例： （1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。 （2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。 （3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。 文章录入：admin????责任编辑：admin? PAGE PAGE 2 ………………………………… …………………………………装…………………………………………订……………………………………线—…………………………… 班级_________________ 姓名________________ 编号____________ 尾闸中学2014年中考模拟考试(一) 政治试题 满分:70分 一、选择题（2×10＝20分） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 1、2010年5月1日至10月31日，召开以“城市，让生活更美好”为主题的： A、 上海世博会 B、宁波世博会 C、 银川世博会 D、世界城市园艺博览会 2、世博会上中国馆的建筑外观以“东方之冠”的构思主题，表达了中国文化的精神与气质。国家馆居中升起、层叠出挑，成为凝聚中国元素、象征中国精神的雕塑感造型主题——“东方之冠”，地区馆以“叠篆文字”传达出丰富的人文历史地理信息。中国馆的设计理念有利于： A防范和抵制外来文化的 侵蚀 B弘扬中华优秀传统文化，增强民族自信心和自豪感 C培育公民的全球意识和世界眼光 D推动世界文化走向单一化 3、2010年3月5日，第十一届全国人大第三次会议在北京人民大会堂开幕。国务院总理温家宝向大会作政府工作