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Ramtron FRAM产品应用 Steve 2007 取代SRAM+电池+EEPROM 3V FRAM如何取代SRAM+电池 无限次读写 5V FRAM如何取代SRAM+电池 100亿次读写 100亿次读写 超过100亿次读写 该区为RAM 取代NVRAM Flash 的碎片存储 Flah: 页写和页擦 需要V0和I0 可以用串行的FRAM 提高抗干扰的能力 高可靠的配置存储 FRAM中国应用领域 –电表 1) 由于EEPROM 的擦写次数为100万次 2)1度电定为3600个脉冲 解决办法:只能将脉冲暂存MCU的SRAM中,等脉冲记录到一定的值(比如1度)或者到了一 定的时间(比如1小时)再把数据写入EEPROM, 存在隐患: 1)在停电后,必需有足够长的电压维持EEPROM 写的时间 设计者的一般思路是利 用滤波电路的大电容,由于电容内部是电解液,随着时间的推移,电容的容量将变小 ,因此为了使电表能使用15年,必须增大滤波的电容的容量和提前检测到掉电 . 2)当数据写入缓冲区后,EEPROM自动把数据写入EEPROM的具体地址,其过程需要10MS,由于EEPROM 内部写入时间长,所以容易受到干扰,EEPROM一旦受到干扰,写入的数据容易出错,此时出错,MCU没有办法知道, FRAM是靠材料特性来保存数据,这种材料并非磁性材料,所以从原理上磁场对数据是没有影响,在实际中,电场对数据也没有影响,所以他的抗干扰性能极其强,适合在非常复杂的环境中记录一些重要的数据,由于他的擦写次数多,所以可以记录每一个数据脉冲. AD7755 MCU RAM 特殊电容 EEROM 电压检测 RTC WDT AD7755 MCU RAM 特殊电容 FRAM 电压检测 RTC WDT FRAM中国应用领域 – 衡器 1)EEPROM:存储传感器的修正参数和配置数据, 2)报表数据存储到SRAM+电池+DS1210中, 3)系统需RTC,为报表提供时间 4)电源管理提供系统正常工作 1)32K的FRAM存储系统报表和传感器修正参数. 2)提供+5秒/年RTC. 3)可编程上下电复位,可以调整时间的硬狗. 4)提供低压报警 5)电池和电源自动切换. FM31256= RTC + 813 + 32K BBRAM 压力传感 电源监控 显示键盘 SRAM 打印输出 电池 MCU 接口通讯 DS1210 RTC 压力传感 电源监控 显示键盘 SRAM 打印输出 电池 MCU 接口通讯 DS1210 FM31256 FRAM中国应用领域 –流量计 EEPROM：存储流量数据和历史记录数据 RTC： 提供流量数据的时间 电源管理：保证系统能正常工作 8KFRAM：存储流量数据和历史记录数据 RTC： 提供流量数据的时间 电源管理：保证系统能正常工作 FM3164 = RTC + 813 + 8k BBRAM 485通讯 MCU LCD显示 A/D检测 EEPROM RTC 电源管理 双Uart口 D/A输出 485通讯 MCU LCD显示 A/D检测 EEPROM RTC FM3164 双Uart口 D/A输出 FRAM中国应用领域 - 计量(Measure) 擦写次数,速度快,性能好 记录各脉冲电表的用电量(1度电=3200脉冲) 集中抄表 取代SRAM+电池+EEPROM 存储停车时间和费用的报表 停车咪表 擦写次数,低功耗 电表: 1度电=3200脉冲,水表/汽表:电池供电(要求低功耗) 四表 擦写次数,集成度高 刮板流量计/超声波流量计:分时累计流量的报表数. 流量计 集成度高 需要存储报表,内部有管理功能, 称重仪 使用FRAM的特点 存储内容描述 行业名称 FRAM中国应用领域 -汽车行驶记录仪 汽车行驶记录仪中的数据应该包括二个部分， 一部分为汽车实时数据(存放汽车发生事故前后的数据)， 另一部分为汽车历史数据(存放汽车和司机的行驶状况)。 国标要求最大0.2 秒采集一次数据,以20 秒为一个存储单位, 实 时数据需要存储10 次20 秒的数据,也就是说在实时数据需要存 储200 秒的数据 由于EEPROM 和FLASH 的擦写次数的限制,检测的数据量不能实时写入 其中,只能存储在SRAM中,当到一定的时间或检测到掉电后在把数据写入 EEPROM和FLASH中,EEPROM,存储实时数据,Flash 存储历史数据.此 案的特点:价格可能比较便宜,但是性能很不可靠,发生事故时可能整个系 统都没有电,当系统检测到掉电时,再把SRAM 的数据写入EEPROM 和 FLASH 中,已经没有时间 传感输入 MC