单极型半导体三极管及其电路综述.ppt

* * * 2.3 单极型半导体三极管及其电路分析 了解场效应管的结构，理解其工作原理，掌握各 类场效应管的符号。 掌握场效应管的伏安特性、工作特点与主要参数。 理解场效应管放大电路的分析方法。 主要要求 第2章 半导体三极管及其电路分析 第2章 半导体三极管及其电路分析 场效应管 FET (Field Effect Transistor)优点： 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、工艺简单、 功耗小、宜大规模集成。 1. 输入阻抗高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 类 型 金属－氧化物－半导体型（MOSFET即 Metal－Oxide－Semiconductor type Field Effect Transistor） 结型 （JFET即 (Junction Field Effect Transistor) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 第2章 半导体三极管及其电路分析 2.3.1 MOS场效应管的结构、 工作原理及伏安特性 一、N 沟道增强型 MOSFET（简称NEMOS管） 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S