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E、MOS管全桥驱动电路 全桥驱动可用2片半桥驱动集成电路（IR2110）： F、自带振荡电路的全桥驱动芯片 G、D类功放驱动电路 四、直流电机驱动 传统小功率直流电机控制采用线性集成电路如LB298，但功耗太大，为此可采用开关集成电路。 五、步进电机驱动 名称: 24BYJ48-01 额定电压 12VDC 相数 4 减速比 1/64 步距角 5.625° /64 直流电阻 50Ω±7%(25℃) 空载牵入频率 600Hz 空载牵出频率 1000Hz 控制极 1 2 3 4 5 6 7 8 5 + + + + + + + + 4 - - - 3 - - - 2 - - - 1 - - - 节拍： 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 脉冲时序图： 5： 4： 3： 2： 1： 基于单片机的控制的步进电路驱动电路： 功率驱动集成电路主要生产商: WWW.IRF.COM WWW.ST.COM WWW.NXP.COM WWW.ONSEMI.COM WWW.FAIRCHILDSEMI.COM 求职应注意的礼仪 求职时最礼貌的修饰是淡妆 面试时最关键的神情是郑重 无论站还是坐，不能摇动和抖动 对话时目光不能游弋不定 要控制小动作 不要为掩饰紧张情绪而散淡 最优雅的礼仪修养是体现自然 以一种修养面对两种结果 必须首先学会面对的一种结果----被拒绝 仍然感谢这次机会，因为被拒绝是面试后的两种结果之一。 被拒绝是招聘单位对我们综合考虑的结果，因为我们最关心的是自己什么地方与用人要求不一致，而不仅仅是面试中的表现。 不要欺骗自己，说“我本来就不想去”等等。 认真考虑是否有必要再做努力。 必须学会欣然面对的一种结果----被接纳 以具体的形式感谢招聘单位的接纳，如邮件、短信 考虑怎样使自己的知识能力更适应工作需要 把走进工作岗位当作职业生涯的重要的第一步，认真思考如何为以后的发展开好头。 Thank you 功率驱动电路设计 一、功率场效应晶体管（MOSFET） 1、功率场效应晶体管结构特点 图1-1 电力MOSFET的结构和电气图形符号 功率MOSFET是一种单极性器件，导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS管，多子是电子） 功率MOSFET是一种集成器件，也就是说一个功率MOS管通常有许多元细胞并联而成。（一个40A的管子由上万个单元并联而成）。 栅极与基片之间用SiO2隔离，因此它同其它两个极之间是绝缘的，故MOS管输入阻抗非常高。 MOS管的极间电容比较大，尤其它的输入电容可达几百PF。 2.MOS管主要技术参数 漏源电压BVDS MOSFET的工作电压主要由MOS管的漏极击穿电压BVDS决定，而BVDS又是J1结的反偏电压极限值。BVDS随温度而变化，在一定的范围内大约结温度每升高10℃，BVDS增加1%，也就是说结温上升，耐压值也上升。（而双极型晶体管则相反）。 最大漏极电流IDmax 标称MOS管电流额定参数。MOS管的额定电流主要由沟道宽度决定，提高IDmax主要靠增加单位管芯面积的沟道宽度。 阈值电压VGS（th）（开启电压） 当外加栅极电压VGS（th）时，漏区和源区的表面