南京理工大学半导体基础.pptVIP

在漂移运动中，因电子与晶格碰撞发生散射，故每次碰撞后漂移速度降到零。如两次碰撞之间的平均时间为τf ，则经τf 后载流子的平均漂移速度为 迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。 * 由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的吸收称为本征吸收。 物体受光照射，一部分被物体反射，一部分被物体吸收，其余的光透过物体。半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。 * 产生本征吸收的条件：入射光子的能量（hν）至少要等于材料的禁带宽度。即 * 杂质能级上的电子（或空穴）吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带），这种吸收称为杂质吸收。杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。 * 导带内的电子或价带内的空穴也能吸收光子能量，使它在本能带内由低能级迁移到高能级，这种吸收称为自由载流子吸收，表现为红外吸收。 价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。这种吸收的光谱多密集与本征吸收波长阈值的红外一侧。 * 半导体原子能吸收能量较低的光子，并将其能量直接变为晶格的振动能，从而在远红外区形成一个连续的吸收带，这种吸收称为晶格吸收。 [半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料，本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍，一般照明下只考虑本征吸收，可认为硅对波长大于1.15μm的可见光透明。 * 半导体的电学性质很大程度上取决于所含杂质的种类和数量。把N型、P型和本征（i型）半导体配合起来，结成不均匀的半导体，能制造各种半导体器件。 * 在无外电场或其它因素激发时PN结处于平衡状态，没有电流流过。空间电荷区的宽度和电位差为恒定值。空间电荷区中没有载流子，所以又称耗尽层，其宽度一般为数微米。 * PN结加正向电压的情况 工作原理——在外加电场的作用下，多子被推向耗尽层，结果耗尽层变窄，内电场被削弱，这有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。多子的扩散电流通过回路形成正向电流。耗尽层两端的电位差变为。一般只有零点几伏，所以不大的正向电压就可以产生相当大的正向电流。通常在回路中串入一个电阻用以限制电流。 * PN结加反向电压的情况 工作原理——在外加电场的作用下，耗尽层变宽，内电场被加强，结果阻止了多子的扩散，但促使少子漂移，在回路中形成反向电流。因少子的浓度很低，并在温度一定时少子的浓度不变，所以反向电流不仅很小，而且当外加电压超过零点几伏后，因少子的供应有限，它基本上不随外加电压增加而增加，故称为反向饱和电流。 * 一、填空题： 1、物体按导电能力分（ ）（ ）（ ）。 2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是（ ）、（ ）。 3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中（ ），二是这些能态中（ ）。 4、半导体对光的吸收有（ ）（ ）（ ）（ ）（ ）。半导体对光的吸收主要是（ ）。 * 二、概念题： 1、禁带、导带、价带 2、热平衡状态 3、强光注入、弱光注入 4、非平衡载流子寿命τ 三、简答题： 1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么？ 2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小？ 3、产生本征吸收的条件是什么？ * 当光照射到物体上使物体发射电子、或导电率发生变化，或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。 ??? 本世纪最伟大的科学家之一爱因斯坦以他在1905年发表的相对论而闻名于世，而他在1925年获得诺贝尔奖是由于他对发现光电效应的贡献。 第三节、光电效应 * z外光电效应——物体受到光照后向真空中发射电子的现象，也称光电发射效应。这种效应多发生在金属和金属氧化物。 光电效应分类： z内光电效应——物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动而不会溢出物体外部的现象。这种效应多发生在半导体内。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 * 1、光电导效应：光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导；有光照时为亮态，此时具有亮电导。如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。亮电导与暗电导之差称为光电导，亮电流与暗电流之差称为光电流。 * ⑴光电导体的灵敏度 在一定条件下，单位照度所引起的光电流称