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【2017年整理】硅材料试题修正版
2014~2015学年度第一学期光伏 专业 硅材料检测期末模拟试题卷
三题1一般X射线大致具有的性质感光作用,荧光作用,电离作用,穿透能力强,X射线的折射率近似等于1,衍射作用。
2氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布 。
3自然界存在的水(江水,河水,湖水)称为天然水 。
4目前国内外导电类型测量有两种温差电动势法,整流效应法。
5电阻率是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。
6四探针法测试,C的大小取决于四探针的排列方式和针距。
7非平衡载流子的寿命ζ,就是反映复合强弱的参数。
8目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,瞬态法(直接法),稳态法(间接法)。
9快速腐蚀时一般不受光照影响,而慢速腐蚀时光照影响比较大。
10半导体晶体缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷,以及点阵应变和表面机械损伤。
11电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑,宏观上看不见小白点,腐蚀面为镜面,这是漩涡花纹和电阻率条纹最重要的区别。
12金相显微镜光学系统,照明系统,机械系统几部分构成。
13硅单晶的导电类型是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素,它们是三价的还是五价的,可以将单晶化分为P型和N型两大类。
14导电类型测量的具体方法冷热探笔法,三探针法,四探针法,
15在晶体学上,选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为晶胞,它构成体的最小单位。
16晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距,晶面指数最低的晶面总是具有最大的晶面间距。
17当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相撞时,都会产生X射线。
18目前测定硅单晶中的氧,碳含量最常用的方法红外吸收法。
19光电导衰退法是目前应用最广的方法,它有高频光电导和直流光电导之分。
20测出的就是点接触外表面的导电类型。要求表面无反型层,无氧化层,清洁无油污。
21硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。
22半导体材料的电阻率与载流子的浓度,以及载流子迁移率有关。
一题 1.用冷热探笔法测量 半导体时,冷端带正电,热端带负电。 (A )
A.P型 B.N型 C.PN型 D.以上皆不是
2. 是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性
的重要因素。 (D )
A.点缺陷 B.线缺陷
C.面缺陷 D.微缺陷
3.光图定向法结果直观,操作 ,误差 。 (A )
A.简单 较大 B.复杂 较大
C.简单 较小 D.复杂 较小
4.悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,
第一区熔区停留挥发时间 左右。 (D )
A.3min B.5min
C.7min D.10min
5.失效表明离子交换树脂可供交换的 大为减少。 (C )
A.Clˉ B.Na C.H﹢和OHˉ D.Ca
6.下列哪一项不是天然水的三大杂质? (B )
A.悬浮物质 B.挥发物质
C.胶体物质 D.溶解物质
7.X射线定向法的误差可以控制在 范围内,准确度高。 (B )
A.±10' B.±15' C.±20' D.±30'
8.直拉单晶中氧含量头部和尾部相比 。 (A )
A.较高 B.相同 C.较低 D.无法判断
9.硅单质是_A__。
A半导体 B导体 C绝缘体 D以上都不是
10.只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是( C )。
A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷
11.下列是晶体的是__B__。
A玻璃 B硅 C松香 D塑料
12.晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是( A )。
A固相生长 B液相生长 C气相生长
13.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( D )以上。
A90% B92% C95% D97%
14.对于铸造多晶硅氧浓度越__,钝化效果越__,少数载流子寿命增加越__. (A)
A低,好,多 B 低,好,少 C低,差,多 D高,好,多
15.在工业生产中广泛用的是___C___。
A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗
16.下列说法错误的是( A )。
A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运
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