04模拟电子技术第四章2011.pptVIP

四、P沟道耗尽型MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达1010?(有资料介绍可达1014?）以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 4.2. MOS场效应三极管 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B。 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) D 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。同时吸引P型衬底中的自由电子 (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 　　由于吸引了足够多的电子， 会形成电子导电为主的N型沟道 —— 反型层 P 型衬底 N+ N+ B G S VGG - - - - - - - - - - - - N 型沟道 　UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 UGS，称阈值电压或开启电压。 (4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT，沟道已形成) 　　导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 b. UDS= UGS – UT， UGD = UT 　　靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 c. UDS UGS – UT， UGD UT 　　由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。 a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 D P型衬底 N+ N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 　UDS 对导电沟道的影响 (a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT 在UDS UGS – UT时(恒流区)，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 3、特性曲线 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 ①输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 uGS ＜ UT （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 N沟道 预夹断轨迹 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT ②转移特性曲线(恒流区)： iD=f(uGS)?uDS=const uGS uT ，iD = 0； 　　uGS ≥ uT，形成导电沟道，随着 uGS 的增加，ID 逐渐增大。 一个重要参数——跨导gm gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 区别：在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 定义： 阈值电压（ UT）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 二、N沟道耗尽型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线