电过应力EOS讲解.ppt

微电子器件的可靠性 复旦大学材料科学系  微电子器件的可靠性  Microelectronics Reliability 第十一章 电过应力 （EOS ) 引 言 电过应力是引起器件失效的主要失效机理之一。 某空间计算机的失效器件中，有60－70％ 是电过应力引起的。 1988年美国军用装备现场失效的 微电子器件失效分布 电过应力失效的类别 过热引起的烧毁、 晶体管的二次击穿（Second Breakdown SB） CMOS的闩锁效应(Latch-up) 静电放电(Electeo-Static Dicharge) 微电子器件的功率阈值 1。 器件的温度达到半导体材料的本征激发温度时，半导体材料发生本征激发，载流子数量激增，器件失去它的正常性能。 2。温度达到金属化铝的熔点时会引起铝膜的熔化、断裂 。 3。为保持微电子器件的性能正常，器件的温度有它的极限，从功率来说，就有它的功率阈值。 P－N结的功率阈值(1) 1.在单个脉冲功率下，将器件中有电流流过的区域定义在(a.b.c.)区域内。脉冲电流从表面ab平面流向内部。在开始时器件温度为T0，该区域温度的变化可通过热流方程来描述。 ?Cp(?T/?t)= H +(kT) 2.若器件最高允许温度TM是确定的，从解微分方程式，就可得到不同脉冲宽度下，器件的允许功率。 P－N结的功率阈值(2) 最大允许功率PF与脉冲宽度关系 tf ： PF ? tf-1 绝热区 PF ? tf-1/2 不完全绝热 3. PF ? const 等功率区 Wunsch-Bell 公式 1968年Wunsch-Bell从一维线性热流动模型, 推导出平均功率密度，温度与时间的关系： Pav=(???Cp)1/2(Tm?T0) t-1/2 以硅的熔点Tm=1415?C,可计算硅器件Pav与脉冲宽度间的关系 二极管Pav＝560 t-1/2 三极管Pav＝310 t -1/2 平均Pav＝480 t -1/2 Pav的单位是KW/cm2, 时间t的单位是?s . 集成电路的Pav 集成电路的 Pav与脉冲宽度 间的关系可写为：Pav＝ At?B （A，B为常数） 各种不同的器件 常数A，B也不同。 二氧化硅薄膜的阈值 二氧化硅薄膜因热导率很低，会发生过热而熔化，发生失效。 损坏能量E与脉冲宽度tD间的关系为： tD＝2REln(VD/VBD)/(V?V) 外加电压VD， 薄膜击穿电压VBD， 串联电阻 R， 金属化的阈值 按Wunsch的估计为 P ? t－1 ~ t －1/2 t ~ 1ms P ? t －1/2 ~ t0 t ~100ms 金属化的阈值 金属内引线的阈值 器件的内引线的散热途径有： 从两端键合点通过管座、内引线通过周围的空气或塑封料散热。 因两端键合点的散热能力较强，当电流通过引线时, 两端键合点温度最低，而引线中央温度最高。 金属内引线的阈值 内引线的熔融电路与金属丝的直径、丝的长度等有关。 金属内引线的阈值 美国军用标准 MIL－PRF－38535E规定 直流恒定电流下，最大 电流I与其直径d的关系 I＝kd2/3, 其中k是常数(与材料种 类、引线长度L有关)。 D 的单位是米。 晶体管的击穿特性 晶 体 管 的 击 穿 电 压 有 以 下 几 种： 1.?发射极开路，集电极－ 基极击穿电压 BVCBO； 2. 集电极开路，发射极－ 基极击穿电压 BVEBO； 3.?基极开路， 集电极－发射极击穿电压 BVCEO； 4. 基极接地， 集电极－发射极击穿电压 BVCES ； 5. 发射极－基极反偏，集电极－发射极击穿电压 BVCEX； 6.?发射极－基极间接电阻R时，集电极－发射极击穿 电压 BVCER。 BVCBO ? BVCES ? BVCER ? BVCEX ? BVCEO 晶体管的击穿特性曲线 在BVCBO 和 BVCEO 关系： BVCBO＝BVCEO/(1+HFE)1/n 二次击穿 二次击穿现象： 在晶体管的集电结处于反偏状 态下，继续增加电压，当到达 一定的电压、电流时，集电极 电压突然减小，降低到很低的 数值，结的动态电阻很小。 发生二次击穿后，若 外电路 没有限流的情况下，电流会很 大，导致器件因过热而损坏。 二次击穿 二次击穿分为： 正偏二次击穿