第2章金氧半导体电晶体理论.ppt

第 2 章　金氧半導體電晶體理論 2.1　歷史簡述 金氧半導體 (CMOS) 電晶體的操作，被當成是一種理想的開關。 當符號只用來顯示開關的邏輯，以建立其功能時， 使用圖2.1(a) 的符號。如果基體 ( 基底或井區 (well)) 的電路連線必須顯示時， 用圖2.1(b) 的符號。圖2.1(c) 的符號，會在其他文獻中遇到。 金氧半導體電晶體，是一種多數載子 (majority-carrier) 的元件，電流受施加於閘極上的電壓所控制，而在源極與汲極之間的通道流動。在nMOS電晶體中，主要載子為電子，在pMOS電晶體中，主要載子為電洞。 圖2.2所示為一簡單的金氧半導體結構，結構的頂部為良導體，稱為閘極。 中間層為一非常薄的二氧化矽絕緣層，稱之為閘氧化層 (gate oxide)，底層為有摻雜的矽基體。 在圖2.2(a) 中，負電壓施於閘極，所以會有負電荷聚集在閘極上，而會移動的正電荷電洞，則被吸引至閘極下方的區域，此稱之為累積模式 (accu-mulation mode)。圖2.2(b) 中，低正電壓施於閘極，使正電荷出現在閘極，這時基體的電洞，就會自閘極正下方的區域驅離，而在閘極下方形成空乏區 (depletion region)。在圖2.2(c) 中，當施加較高的正電位，而超過臨界電壓 Vt 時，就會吸收更多的正電荷至閘極。而電洞會更加被驅離開原位置，並且基體中小量的自由電子，會被吸引至閘極下方的區域。此p型基體的電子傳導層，稱為反轉層 (inverson layer)。 圖2.3所示為nMOS電晶體，其中源極與p型基體接地。 圖2.3(a) 中，閘極對源極電壓值 Vgs 低於臨界電壓值。 基體和源極，或基體和汲極之間的接面呈反向偏壓， 沒有電流的流動。這種操作型態稱為截止 (cutoff)。 圖2.3(b) 中，閘電壓高於臨界電壓值。 如果Vds=0( 也就是Vgs=Vgd)，就不會有推動電流由汲極向源極流動的電場。當施加小正電位差Vds至汲極時 ( 圖2.3(c))，電流Ids就會由汲極經通道向源極流動 。這種操作模式就稱為線性 (linear)、 電流大小會隨汲極電壓和閘極電壓而增加。如果Vds值夠大，以至於VgsVt，則靠近汲極的通道就不再反轉，而變成夾止狀態 (pinched off) ( 圖2.3(d))。 綜合來說，nMOS電晶體有三種操作模式。如果VgsVt，電晶體就會截止，而沒有電流。如果VgsVt，而且Vds值不大的話，電晶體的作用就像線性電阻，電流會正比於Vds值。如果VgsVt，而且Vds值夠大，電晶體的作用就像是電流源，電流大小和Vds值無關。 圖2.4中， n形基體與高電位連結，當閘極為高電位時，汲極與源極間沒有電流。當閘極電壓下降直到臨界值Vt時，就會吸引電洞而立即在閘極下方形成p型通道，使電流在汲極與源極間流動。 金氧半導體電路延遲效應的發生，是由電路上電容的充放電時間而決定。 由源極或汲極對基體間的p-n接面逆向偏壓，會造成額外的寄生 (parasitic) 電容。連接電晶體的金屬內連線也會形成非常明顯的電容。 2.2　理想電流 - 電壓特性 金氧半導體電晶體操作區域： ? 截止區或次臨界區 ? 線性或非飽和區 ? 飽和區 一階 ( 理想蕭克萊 ) 模型。在截止區(VgsVt) 內，沒有通道的產生，並且從汲極到源極間沒有電流的流動。 其他區域 ，閘極會吸引載子 ( 電子 ) 以形成通道。電子會以正比於兩區域間電場大小的速率，由源極漂移至汲極。 已知電容器各極板的電荷為Q=CV。在通道內的電荷Q通道為 如果源極的電壓為Vs，而汲極為Vd，則平均值就是Vc=(Vs+Vd)/2=Vs+Vds/2。圖2.5所示，閘極與通道電位的平均電位差Vgc等於Vgs–Vds/2。 閘極可以當作是平行板電容，其電容值正比於閘氧化層厚度以上的面積。如圖2.6所示，閘極的長度為L，寬度為W，氧化層的厚度為tox，其電容值為 通道內的每一個載子，都會被加速至正比於橫向電場的平均速度值，此橫向電場就是源極與汲極間的電場。比例常數?稱為遷移率。 載子通過通道所需要的時間，可以用通道長度除以載子速度而求得：L/v 。因此，源極與汲極間的電流，就是通道內的電荷總數量，除以經過通道所需的時間。 線性區的操作，即VgsVt， Ids的增量幾乎與Vgs呈線性的關係， 圖2.7所顯示的，就是電晶體的電流 - 電壓特性圖。 pMOS電晶體的反應也相同，但符號相反，電流 - 電壓特性圖位於第三象限，如圖2.8所示。 2.3　電容 - 電壓特性 2.3.1 簡易金氧半導體電容模型 金氧半導體電晶體的閘極，就是良好的電容器。其電容值就是要用來吸引電荷，以造成反轉層，