《数字逻辑》第3章 门电路.ppt

从构成MOS集成电路的基本开关元件MOS管开始学习，进而学习MOS反相器、MOS门，最后了解CMOS门的外部特性。 MOS管是构成MOS集成电路的基本开关元件 由MOS管组成了MOS反相器 各种MOS门基本都是由反相器组合而成。 MOS管分为NMOS管和PMOS管两种类型。 NMOS管是在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区，形成源极和漏极；栅极通常用金属铝制作；栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔开，形成金属、氧化物、半导体的结构。 NMOS管又有增强型（当在栅极加上足够大的正电压后，导电沟道逐渐形成）和耗尽型（NMOS管制作时在栅极下方就存在N型沟道，当在栅极加上足够大的负电压后，沟道逐渐消失，MOS管截止）两种类型。 NMOS管类似于NPN型三极管。NPN型三极管由两层N型半导体中间夹一层P型半导体组成。 如果VGS=0 ，则两个N区和P型衬底形成两个背向的PN结，无论VDS为正或负，NMOS管都不能导通——因为总有一只PN结反偏 当VGSVGS(TH)（开启电压，1~3V），源极、漏极以及衬底中的自由电子在正电场的吸引下，趋向于栅极；但这些电子不能穿越栅极下的绝缘层，因而聚集在栅极下的底衬表面，形成N型沟道（channel），把两个N区沟通，在VDS作用下，形成漏极电流ID。 由于导电沟道属于N沟道