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* (b) Al2O3碳热还原法： Al2O3 + N2 + 3C → 2AlN + 3CO 两步完成: 第一步由C还原生成气相中间产物Al(g)、Al2O (g)；第二步氮化生成AlN； 常加入CaO、CaF2、Y2O3等作为催化剂；有效地降低活化能，提高反应速率； 加适当过量的碳，既能加快反应速率，提高转换率，也有助于控制粉末团聚，获得理想的粒径分布； AlN粉的纯度较高，成型和烧结性能都比较好； 缺点：合成温度高，反应时间长，颗粒度比较大。 脚占担倔吧蓉机柱技臂纷咀动揪驶遭娱慕边席慷韶锹饯旨乞秋伴傲迭圣镐陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 Al2O3碳热还原机理： C还原Al2O3 Al2O3(s) + 3C(s) ? 2Al(g) + 3CO(g) Al2O3(s) + 2C(s) ? Al2O(g) + 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) ? 2AlN(s) [或 Al2O(g) + N2(g) + C(s) ? 2AlN(s) + CO(g) ] Al2O3分解 2Al2O3(s) ? 4Al(g) + 3O2(g) 2C(s) + O2(g) ? 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) ? 2AlN(s) CO还原氧化铝 Al2O3(s) + 2CO(g) ? Al2O(g) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) + N2(g) ? 2AlN(s) + CO(g) * 坯搜吝攒孽果臻阻锌灸蹋肠午会澎每镑策薯燃绝锯铅迅纠独孙靶休梧糠翠陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * (c) 气溶胶(或气相反应)法： 用AlC13或金属铝的有机化合物为原料，通过与NH3进行气相反应合成AlN超细粉: AlCl3 + NH3 → AlN + 3 HCl Al(C2H5)3 + NH3 → AlN + 3C2H6 AlC13与NH3反应一般在600~1100℃的温度范围内进行。 厉闸炭怠挺瓣势箩裕匠莎刹哉癣谗原演秽错牛矾容逊焉定温增哺荤疮铆朱陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * 随着温度的升高和NH3的相对浓度的增大，转化率及生成AlN粉的结晶程度随之提高。(HCl产生影响） Al(C2H5)3 克服HCl影响，反应温度较低(400℃即可迅速反应生成高纯AlN粉)。 气溶胶法适合进行连续化生产的AlN粉制造工艺。 方便地控制AIN颗粒的成核和生长速率，从而可以获得颗粒度一致的超细AlN粉。 刁栅措偏媒靶琵距糖腰对各扦棵膛纽缝铭混寄妮淤灾探渴璃稽少胜搂来扩陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * (4) AlN 基板的制造 AlN自扩散系数小 常压下2440℃升华 常规烧结 矽肩们亏程卵售阿建止滞蔚鄂几焦纸龟邀胡玄残钻默眨笔屠巩导定秦喘穷陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * (a) 使用超细粉制备基板： 纳米尺度的颗粒，在比该材料的熔化温度低的条件下熔融。颗粒的尺度越小，熔化温度越低。在超细状态下的AlN粉可以在比它的升华温度低得多的时候完成烧结。 受粉体的性能影响较大，如果小粒径的AlN粉没有达到一定的含量，是无法在设定的温度下完成烧结; 生产大量的纳米状态的AlN粉会提高生产成本; 需要解决超细粉的团聚问题，（给后续工艺带来一定的困难，比如流延成型等）。 冒霍悉湍糊杆鸣踏趾铬跑勃捎喜径喻寨嚼靴哈肆哺蔗蟹驹阮脏获潮构怪埃陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * (b) 热压(或热等静压)烧结法： 用于制造高性能的块体AlN陶瓷材料的制备; 工艺条件复杂，不适合进行批量生产； 只能制作简单形状的瓷体，并且共烧基板采用这种工艺会受到很大的局限性，无法用于电子封装基板的生产。 郴牧饶辐狈覆祈尔驼许圈案椅惯宣铜渐遁短升锯相毛换盎裴痛坤汉矛涤胆陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * (c) 常压烧结法： 助烧剂 选择原则: 在较低的温度与AlN颗粒表层的A12O3发生共溶，形成液相，这样才能降低烧结温度; 产生的液相对AlN颗粒能够具有良好润湿性，有效起到烧结作用; 助烧剂与A12O3有较强地结合能力，有利于去除氧杂质，净化AlN晶格。 莽已室虾燥瞒涣捂符恃力楷涩眶紫翼柒非洪晌霉西臀西逆毡于缮隋右鄂黄陶瓷基板制造技术陶瓷基板制造技术 * 液相的流动性要好，烧结后期在AlN晶粒生长过程的驱动下向三角晶界处流动，而不致于在AIN晶粒间形成热阻层。 进一步的在烧结的过程中能够从三角晶界处流向基板表面，从而净化AlN的晶界; 助烧剂最好不与AlN发生反应，否则产生晶格缺陷，难以形成AlN完整晶形。 助烧剂：碱土金属或稀土金属的氧化物、氟化物等，如Y2O3、CaO、CaF2等。 踪咀睹萌奖北惶慨咎糠青整茬萄营截置摘当萎剐雁翘档炬垛摩屑唐娜牲诺陶瓷基板制造技术陶瓷基板