第四章 掺杂原理与技术.ppt

LSS理论？阻止能力的含义？ 离子注入的杂质分布？退火后？ 离子注入的主要特点？ 掩蔽膜的厚度？ 精确控制掺杂，浅结、浅掺杂，纯度高，低温，多种掩模，… 非晶靶。能量损失为两个彼此独立的过程(1) 核阻止与(2) 电子阻止之和。能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量。 掩膜层能完全阻挡离子的条件： 4.4 本章小结 什么是离子注入损伤？退火的目的是什么？什么是RTP？ 产生大量空位－间隙对，直至非晶化。恢复晶格，激活杂质，恢复载流子迁移率和少子寿命。快速热退火，热扩散小，制作浅结。 4.4 本章小结 (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在