第四章 掺杂原理与技术.ppt 168页

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  • 2017-02-19 发布
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    LSS理论?阻止能力的含义? 离子注入的杂质分布?退火后? 离子注入的主要特点? 掩蔽膜的厚度? 精确控制掺杂,浅结、浅掺杂,纯度高,低温,多种掩模,… 非晶靶。能量损失为两个彼此独立的过程(1) 核阻止与(2) 电子阻止之和。能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量。 掩膜层能完全阻挡离子的条件: 4.4 本章小结 什么是离子注入损伤?退火的目的是什么?什么是RTP? 产生大量空位-间隙对,直至非晶化。恢复晶格,激活杂质,恢复载流子迁移率和少子寿命。快速热退火,热扩散小,制作浅结。 4.4 本章小结 (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度,最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边,注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远,浓度越低。 4.4 本章小结 1. 在1000℃时向硅中扩散硼,表面浓度维持在1019cm-3,而扩散时间为1h。试求Q(t)和在x=0处以及掺杂浓度为1015cm-3处浓度梯度。 解:硼在1000℃时向硅中扩散的扩散系数约为2×10-14cm2/s,所以扩散长度为: 例题选讲 当CB=1015cm-3时,由 可得对应的xj, 例题选讲 2. 由AsH3气体将砷预淀积,单位面积的掺杂总量为1×1014cm-2,要花多少时间才能将砷在分布扩散到1μm的结深。假设衬底掺杂浓度为1×1015cm-3,再分布扩散温度为1200℃。对砷而言,D0=24cm2/s,Ea=4.08eV。 解: 上式的解可由方程 和 而求得。 因此,t=1190s≈20min 例题选讲 3. 假设硼以100keV、每平方厘米5×1014个离子的剂量注入进200mm的硅晶片。试计算其峰值浓度。如果注入在1min内完成,求离子束电流。 解:查表知本题的投影射程为0.31μm,投影偏差为0.07μm。由式 可得, 峰值浓度位于x=Rp,n(x)=2.85×1014个离子/cm2。 注入离子的总量为Q=5×1014×π×(20/2)2=1.57×1017个离子。 所需的离子电流为I=qQ/t=1.6×10-19×1.57×1017/60=4.19×10-4A ≈0.42mA。 例题选讲 4.当硼离子以200keV注入时,需要多厚的SiO2来阻挡99.99%的入射离子?投影射程为0.53μm,投影偏差为0.093μm 。 解:式 中的余误差函数可以近似为: 其中参数u代表 。若T=10-4,可以解出上面的方程式而得u=2.8。 因此d=Rp+3.96σp=0.53+3.96×0.093=0.898μm 例题选讲 例题选讲 掩蔽效率为99.99%时,不同材料的最小厚度和入射离子能量的关系,内插图表示离子透过深度d的情况 (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度,最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边,注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远,浓度越低。 4.4 本章小结 1.说明用于硅中扩散常见的固态、液态、气态源。 2.扩散的方式有哪三种? 3.影响扩散速率的因素有哪些? 4.杂质在硅中的扩散过程分为那两步,它们分别属于恒定源扩散还是限定源扩散,请用图形来说明这两个扩散过程。 5.解释本征扩散与非本征扩散的意义。 6.为什么要引入离子注入技术,离子注入技术有哪些优势? 7.离子注入的原理? 8.说明退火的目的和特点? 9.试计算在中性环境中,950oC、30min硼预置掺杂情况的结深与杂质总量.假设衬底是n型硅,ND=1.88×1016cm-3,而硼的表面浓度为Cs=1.8×1020cm-3。 10.如果习题9中的例子放入1050oC、60min的中性环境进行再分布扩散,试计算扩散分布与结深. 11. 假设测得的磷扩散分布可以用高斯函数表示,其扩散系数D=2.3×10-13cm2/s,测出的表面浓度是1×1018cm-3,在衬底浓度为1×1015cm-3下测得的结深为1μm.请计算扩散时间和在扩散层中的全部杂质量. 12. 为防止突然降温而引起的硅晶片翘曲,扩散炉管的温度在20min内自1000oC线性下降至500oC.对硅内的磷扩散

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    • 审核时间:2017-02-19
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