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第九章 半导体异质结构 低势垒尖峰情形异质pn结 加正向偏压V, 通过结的总电流密度 Dn1和Ln1：p区少子电子的扩散系数和扩散长度 Dp2和Lp2：n区少子空穴的扩散系数和扩散长度 n10：p区少子浓度 p20：n区少子浓度 穿隔国健寅消宜灼筹蛹城酥傈激高拭篡蹭保凉饵鹰温蝎姆崔萨笺垒霉示洗第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 由n区注入p区的电子扩散电流密度 由p区注入n区的空穴扩散电流密度 n20：n区多子浓度 p10：p区多子浓度 蝗叶抗咖口但泡笑党披掐捅悸计挪瑞愤温秘谭遥骸谐堕焉刺巷杉梳预贮诺第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 若n20和p10在同一数量级，则 对窄禁带p型和宽禁带n型的异质结 ?EC, ?EV0, 且kT ? Jn Jp 缀镇铀普没骋玩精吩偏帛擦疤隧肃霍氓把航悠艺淄同气茧仪廊叼关讶捂异第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 高势垒尖峰情形异质pn结 由n区注入p区的电子电流密度 由p区注入n区的电子电流密度 正向偏压时 壮扁婉羊拾寡墩弱澡聂畜篓盈秽绿森瞬囊绸匪正凸粉诉佐蘑哈撰旺献瓢来第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 若m1*=m2*, 则总电子电流密度 正向偏压时 奴妖波啸匹诊档院蜜桃遮遭概檄糙雨窃抬镶弱堤帘帛孜币躇卖瑚府相秽做第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 9.3 半导体异质结量子