超高真空系统(UHV).ppt

* 3.6.2、荷电效应的影响 荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向高结合能端偏移，即所测结合能值偏高。 荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生不利的影响。 样品表面存在颗粒或不同物相可能导致表面荷电的不均匀分布，即差分荷电。荷电积累也可能发生在X光照射下样品体内的相边界处或界面处。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 * 表面非均匀(差分)荷电 Sample * 3.6.3、电荷补偿 低能电子中和枪与离子电荷中和源 Spectrometer Lens XL Lens Combined Electron/Ion Gun + + Coaxial flood electrons(schematic trajectories) Low energy electronsLow energy ions 低能电子中和枪的应用 中和枪工作参数的选择 根据样品的导电性等状况 低能电子能量的典型值5eV。并具有足够通量以充分地补偿荷电。 低能离子的中和应用 对于大块绝缘样品用电子中和枪不能完全中和时 导电性非均匀样品的处理 谱峰变宽，畸变或分裂。 仔细优化中和枪参数使得中和效果最佳 样品绝缘化处理（粘贴在绝缘基片上或样品不接地）使得导电更均匀。如TiO2材料等。 3.7、Ar离子枪与离子刻蚀 离子枪主要用于样品表面的清洁和深度刻蚀。常用的有Penning气体放