第十二章化学清洗.pptVIP

化学清洗 12.1沾污对器件的影响 在半导体器件制造工艺中，几乎半数以上的操作是各个工序之间的清洗。清洗工序是决定器件稳定性、可靠性及成品率的关键。 清洗的目的是去除器件制造过程中偶然引入的“表面沾污”杂质，这些沾污来自硅片加工过程（如切、磨、抛及传递操作）；也来自清洗所用的化学试剂和水；以及工艺过程中 * * 所用的器皿、管路、气体等。它们可能是颗粒，也可能是杂质膜，或以物理吸附，或以化学吸附粘在硅片表面上。在高温工艺中，它们将由表面扩散到硅片里面，从而影响器件的电学性能：（1）造成PN结反向漏电流增加（例如由于表面沾污离子的直接导电或进入硅片内部的杂质造成PN结不平整而引起漏电流）； （2）造成PN结局部击穿或低击穿（例如，由于Au、Cu、Cr、Fe等杂质聚集于硅片中的堆垛缺陷附近或分凝于螺旋位错上，均会导致局部击穿）； （3）使MOS器件阈值电压改变（例如在P-MOS的SiO2-Si界面上，有Na+，其阈值电压就会改变）。 另外，表面沾污也会影响制造工艺的正常进行，如硅片表面的颗粒或杂质影响光刻胶的粘附，损坏光掩膜版，从而影响光刻质量；它们还会影响有目的的掺杂。这种表面沾污的杂质是不可控制的，因此，在每步制造工艺进行前，必须通过清洗将表面沾污除去。 12.2硅片的清洗 12.2.1清洁表面的概念 绝对清洁的表面只能在高真空中获得，而通常器件制造环境中，硅片表面必然由单层或多层原子或化合物所覆盖。但只要该覆盖层满足下列条件，则可认为该表面是清洁的 （1）原子或分子是均匀的； （2）可挥发； （3）对氧化、扩散等工艺无影响； （4）对器件的电学参数无干扰 12.2.2清洗的分类 1、按工艺要求分类 （1）原始片的清洗。即在切、磨、抛之后，一次氧化之前的硅片准备，主要是去颗粒和大量的有机沾污。 （2）为氧化、扩散、CVD淀积以及金属化等工艺作硅片准备，以除去有机及无机膜沾污为主。 （3）为光刻甩胶作准备，以去除颗粒为主。 （4）刻蚀工序后的去胶清洗。 2.按清洗方法分类 （1）物理清洗 刷、擦、高压水冲洗、超声清洗等。主要是去除颗粒和静电物理吸附的杂质。以高纯去离子水为主要的清洗媒介，也有添加表面活性剂，或以有机溶剂清洗的。 （2）化学清洗 以酸性或碱性的氧化性、络合性溶液使硅片表面沾污杂质（例如有机物或金属离子膜、原子膜）氧化或络合，变成可溶于水，然后再以大量的高纯去离子水将其冲掉。 3.按清洗方式分类 （1）浸泡 将成批硅片浸于配好清洗液的酸或碱的清洗槽中，辅之加热、搅拌，增加清洗速度与提高清洗效率。 （2）离心旋转喷洗 批量或单片进行离心旋转喷洗。 12.2.3硅片表面沾污及清洗方法 12.2.4清洗步骤 1、清洗液 2、清洗顺序 3、最佳清洗顺序及条件 以上清洗方法的几点说明: （1）1号、2号、3号清洗液必须在使用时现配，因为H2O2在酸、碱溶液中会分解。 （2）每步之前都要用高纯去离子水冲洗，若辅之以热高纯水冲洗则可提高清洗效率，因为各种金属离子的溶解度随温度的升高而增加。 （3）清洗的硅片经离心甩干或高纯氮气吹干，使含有杂质的剩余水滴迅速离开硅表面，以减少水的沾污。 （4）洗净干燥后的硅片应置于层流气体保护的容器中，以防止再沾污。 12.3常用器皿的清洗 1.玻璃器皿的清洗 玻璃器皿先用去污粉擦洗，再用自来水冲洗，然后放在玻璃洗液中浸泡数小时，取出后用大量去离子水冲洗，最后烘干。 玻璃洗液配方： K2Cr2O7饱和溶液 50-60ml 浓H2SO4（94%） 100ml *