第2章中央处理器.ppt

2.1 CPU基本原理、分类、结构和参数 2.2 CPU的发展 2.3 主流CPU产品型号 2.4 CPU散热器 运算器主要完成各种算术运算（如加、减、乘、除等）和逻辑运算（如逻辑加、逻辑乘和逻辑非运算等）； 控制器读取指令，对指令进行分析，做出相应的控制。寄存器存放可直接参与运算的中间结果。 （4）按CPU型号或标称频率分类386/486/P （5）按CPU的核心数量分类:单核/双核/4核/6/8 （6）按CPU的制造工艺分类：95/45/32/22 （7）按适用类型分类 4．CPU的接口 CPU的封装形式主要分为两大类：针脚式的Socket类型，插卡式的Slot类型。 (2) Socket 370插座 Intel的Socket 370支持Celeron II、Pentium III、Cyrix III和VIA C3 (3) Socket A插座 AMDSocket A（Socket 462）是为AthlonCPU设计的接口标准。Athlon、Duron和Athlon XP CPU都采用。 (4) Socket 478 IntelSocket 478 接口支持Pentium 4 CPU 2.1.4 CPU的主要技术参数 Intel 酷睿i7 4770K（盒） 重要参数 插槽类型：LGA 1150 CPU主频：3.5GHz 最大睿频：3.9GHz :cpu自动超频/降频。i3不支持睿频，i5，i7都支持。 制作工艺：22纳米 二级缓存：4×256KB 三级缓存：8MB 核心数量：四核心 八线程 核心代号：Haswell 热设计功耗(TDP)：84W 适用类型：台式机 倍频：39倍 外频：100MHz Intel 酷睿i7 4770K（盒） 基本参数 适用类型 台式机 CPU系列 酷睿i7 4700 CPU主频 3.5GHz 最大睿频 3.9GHz 外频 100MHz 倍频 39倍 插槽类型 LGA 1150 核心代号 Haswell 核心数量 四核心 线程数 八线程 制作工艺 22纳米 热设计功耗(TDP) 84W热设计功耗（Thermal Design Power，TDP）是指CPU负荷最大时释放出的热量，单位是瓦特（W）。 一级缓存 2×64KB 二级缓存 4×256KB 三级缓存 8MB 技术参数 内存控制器 双通道DDR3 1600 64位处理器 是 12．工作电压 指CPU核心正常工作所需的电压。 根据CPU的制造工艺而定的。制造工艺数值越小，核心工作电压越低，一般在1.3～3V之间。 07年 酷睿四核 08年 I7诞生 720 820,之后I7和酷睿陆续向下发展 10年 I3 I5 诞生 10年9月 全世界尚未发布的消息：amd六核已经开始供应 11年 I7 980X即将退市 I3 I5 二代上市 I7 二代上市 ① QX9000系列CPU。 Intel Core 2 Quad Extreme QX9770CPU的外观。 作业 1.比较Intel 酷睿i3 4130（盒） 、AMD 速龙II X4 760K（盒）性能上有什么不同。2.查找AMD A6-6400K（盒）的性能指标。3.查找64位CPU发展过程。4.查找CPU生产过程。 CPU的制造过程 1、切割晶圆 　　用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。 2.影印?????? 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻物质(光刻胶)，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。 3.蚀刻 　　用溶剂将被紫外线照射过的光阻物清除，然后再采用化学处理方式，把没有覆盖光阻物质部分的硅氧化物层蚀刻掉。然后把所有光阻物质清除，就得到了有沟槽的硅基片。 4.分层 　　为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、 蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。 2．散热块 散热块由底座和鳍片（或称鳃片）组成。 ① 散热块的材料。散热块的材料主要为铜和铝。 ② 散热片的设计和制造工艺。 制造工艺主要包括铝挤压工艺、塞铜技术、折叶技术、回流焊接技术和热管工艺。 3．扣具和适用类型 散热器的扣具是固定散热块和CPU插槽的重要配件之一。 常见的散热器扣具设计有3种 表2-2中列出了一款CPU散热器提供的产品技术参数。 ② E6000系列 Intel Core 2 Duo E6550CPU的外观及产品包装盒。 ③ E4000系列 Intel Cor