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第一章 半导体的物质结构和能带结构 1、参照元素周期表的格式列出可直接构成或作为化合物组元构成半导体的各主要元素，并按共价键由强到弱的顺序写出两种元素半导体和八种化合物半导体，并熟记之。 IB IIB IIIA IVA VA VIA VII 1 2 B C N O 3 Al Si P S 4 Cu Zn Ga Ge As Se 5 Ag Cd In Sn Sb Te 6 Hg Pb 共价键由强到弱的两种元素半导体，例如：Si，Ge 共价键由强到弱的八种化合物半导体：例如：SiC，BN，AlN，GaN，GaAs，ZnS，CdS，HgS 2、何谓同质异晶型？举出4种有同质异晶型的半导体，并列举其至少两种异晶型体的名称和双原子层的堆垛顺序。 答：化学组成完全相同的不同晶体结构称为同质异晶型。 SiC，其多种同质异型体中，3C-SiC为立方结构的闪锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABCABC(((；而2H-SiC为六方结构的纤锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABAB(((；4H-SiC为立方与六方相混合的晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABACABAC((( GaN，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Ga-N双原子层的堆垛顺序为ABCABC(((；而纤锌矿结构的Ga-N双原子层的堆垛顺序为ABAB(((； ZnS，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-S双原子层堆垛顺序为ABCABC(((；而纤锌矿结构的Zn-S双原子层堆垛顺序为ABAB(((； ZnSe，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-Se双原子层堆垛顺序为ABCABC(((；而纤锌矿结构的Zn-Se双原子层堆垛顺序为ABAB(((； 3、室温下自由电子的热速度大约是105m/s，试求其德布洛意波长。 解：该自由电子的动量为： 由德布洛意关系，可知其德布洛意波长 对波矢为k的作一维运动的电子，试证明其速度 解：能量E和动量P波频率(和波矢k之间的关系分别是： ； P=k 根据能量和动量的经典关系： 由以上两个公式可得： 对这个结论求导可得：，进一步得： 根据动量的关系：可得： 5、对导带底电子，试证明其平均速度和受到外力f 作用时的加速度可分别表示为 和 解：将E（k）在k=0出按泰勒级数展开取至k2项，得到 因为，k=0时能量取极小值，所以，因而 令代入上式得 根据量子力学概念，波包中心的运动速度为 式中，k为对应的波矢。由波粒二象性，角频率为的波，其离子的能量为，代入 上式，得到半导体中电子的速度与能量的关系为 根据式求导得代入上式得 当有场强为ε的外电场时，电子受到f=-qε的力，电子有一段位移ds外力对电子做的功等于能量的变化，即 有此公式可得 上式说明，在外力f的作用下，电子的波矢k不断变化，其变化率与外力成正比。其加速度为 利用公式可得 因此加速度 6、对图示两个抛物线型的空穴E-k关系，试以自由电子质量为单位确定其有效质量。 解：根据价带顶得E-k关系: 由图中的两个抛物线形状可以得到两个E-k关系式的标准式为：E=Ak2 对于实线，带入图中坐标得A=100EV-8。 对于虚线，带入图中坐标得A=100EV-40。 因此对比标准的E-k关系式得 对于实线， 对于虚线， 参照图1.9，如果平衡态原子间距a0因某种原因产生微小变化，材料的电学特性会发生何种改变？ 解：因为如果a0变小，轨道杂化就会变得越明显，同时原子间共有化运动也会越剧烈，因此导电性变强，反之亦然。 根据式（1-27）及所附参数绘制Si在0≤T≤600K温区Eg与T的关系曲线，标出Eg的室温值。 解：Si的Eg随温度变化的规律可以表示为： 式中Eg(0)=1.17ev，4.73×10-4 eV/K，636K 当T=50K时，带入数值可得Eg(50)=1.1683ev 当T=100K时，带入数值可得Eg(100)=1.1636ev 当T=150K时，带入数值可得Eg(150)=1.1565ev 当T=200K时，带入数值可得Eg(200)=1.1474ev 当T=250K时，带入数值可得Eg(250)=1.1366ev 当T=300K时，带入数值可得Eg(300)=1.1245ev 当T=350K时，带入数值可得Eg(350)=1.1112ev 当T=400K时，带入数值可得Eg(400)=1.0969ev 当T=450K时，带入数值可得Eg(450)=1.0818ev 当T=500K时，带入数值可