06第四讲版图绘制及Virtuoso_工具软件课件.pptVIP

共41页 版图绘制及Virtuoso 工具软件 范镇淇 2011年3月17日 主要内容 典型深亚微米工艺流程 Design Rule的简介 Virtuoso软件的简介及使用 PDK简介 1、典型深亚微米工艺流程 这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程，用到的wafer（晶圆）是P型衬底，所以需要用NWELL来构建p沟器件，而n型MOS管就构建在p衬底上。 这里以反相器为例简单的介绍下其制作的基本工艺流程。 第一张mask定义为n-well(or n-tub)mask a)离子注入：制造nwell。 b)扩散：在所有方向上扩散，扩散越深，横向也延伸越多。 第二张mask定义为active mask。 有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。 忽略版图中无法体现的一些mask：诸如channel stop、阈值电压调整等 要介绍的第三张mask为poly mask： 它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。 第四张mask定义为n＋mask，用来定义需要注入n＋的区域。 第五张mask是p＋mask。 p＋在Nwell中用来定义PMOS管或者NMOS体端引出；p＋在Pwell中用来作为欧姆接触。 第六张mask就是定义接触孔了。 首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够 使金属接触到扩散区或者多晶硅区。 第七张mask就是金属1（