申请号CN02160212.3名称三维可控缺陷态光子晶体的制备方法主.doc

------------------------------------------------------------ 申请号:C3 名称:三维可控缺陷态光子晶体的制备方法 主分类号:G02F1/01(2006.01)I 分类号:G02F1/01(2006.01)I 申请（专利权）人:中国科学院物理研究所 发明（设计）人:田 洁;程丙英;张道中 公开（公告）日:2006.01.11 公开（公告）号:CN1236344 专利代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人:王凤华 申请日:2002.12.31 地址:100080北京市海淀区中关村南三街8号 摘要:本发明涉及一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法，该方法采用单光束 光镊法与自组织法相结合制备可控缺陷态的三维光子晶体。三维光子晶体是由 单分散的微粒组成，用光镊控制适当的小球，制成大面积无缺陷的单晶光子晶 体。还可以在光子晶体制备的过程中引入缺陷，制备具有可控缺陷态的三维光 子晶体。本发明克服了以往单纯自组织生长三维光子晶体无法控制缺陷态的缺 点，达到在自组织生长三维光子晶体时缺陷态可以任意设置。该方法易于操作， 制作的三维光子晶体的缺陷态控制准确。 主权项:1、一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)将溶剂与定量均匀直径的实心固体小球混合形成悬浊液；小球总体