实验二十一RAM和ROM存储器及其应用.doc

实验二十一 随机存取存储器2114A及其应用 了解集成随机存取存储器2114A的工作原理，通过实验熟悉它的工作特性、 使用方法及其应用。 二、实验原理 （一） 随机存储器（RAM） RAM）,又称读写存储器，它能存储数据、指令、中间结果等信息。在该存储器中，任何一个存储单元都能以随机次序迅速地存入（写入）信息或取出（读出）信息。随机存取存储器具有记忆功能，但停电（断电）后，所存信息（数据）会消失，不利于数据的长期保存，所以多用于中间过程暂存信息。 RAM的结构和工作原理 21－是RAM的基本结构图，它主要由存储矩阵、地址译码器和读/ 图21－ RAM的基本结构图 存储单元矩阵是RAM的主体，一个RAM由若干个存储单元组成，每个存1位二进制数或1位二元代码。为了存取方便，通常将存储单元设计成矩阵形式，所以称为存储矩阵。存储中的存储单元越多，存储的信息就越多，表示该存储器容量就越大。 为了对存储矩阵中的某个存储单元进行读出或写入信息，必须首先对每个存储单元的所在位置（地址）进行编码，然后当输入一个地址码时，就可利用地址译码器找到存储矩阵中相应的一个（或一组）存储单元，以便通过读/写控制，对选中的一个（或一组）单元进行读出或写入信息。 /写控制电路 RAM往往由若干片RAM组成。当需要对某CS，选中某一片（或几片），然后用地址译码器能找到对应的具体存储单元，以便读/写控制信号对该片（或几片）RAM的对应单元进行读出或写入信息操作。 RAM的输出常采用三态门作为输出缓冲 MOS随机存储器有动态RAM（DRAM）和静态RAM（SRAM）两类。DRAM靠存储单元中的电容暂存信息，由于电容上的电荷要泄漏，故需定时充电（通称刷新），SRAM的存储单元是触发器，记忆时间不受限制，无需刷新。 2、2114A静态随机存取存储器 2114A是一种1024字×4位的静态随机存取存储器，采用HMOS工艺制作，它的逻辑图逻辑符号如图21－21－ 其中，有4096个存储单元排列成64×64矩阵。采用两个地址译码器，行译码（A3～A8）输出X0～X63，从64行中选择指定的一行，列译码（A0、A1、A2、A9）输出Y0～Y15再从已选定的一行中选出4个存储单元进行读/写操作。I/O～I/O既是数据输入端，又是数据输出端为片选信号，是写使能，控制器件的读写操作表21－是器件的功能表。 A0～A9），并使＝1，给定地址的存储单元内容（4位）就读写控制传送到三态输出缓冲器，而且只能在＝0时才能把读出数据送到引脚（I/O～I/O）。 逻辑框图 （b）（c）逻辑符号 21－2114A随机存取存储器 21－ 2114A引功能 写 选 通 芯片选择 I/O0～I/O3 数据输入/输出端 VCC +5V 地址 I/O0～I/O3 有效 1 × 高阻态 有效 0 1 读出数据 有效 0 0 写入数据 ②当器件要进行写操作时，在I/O0～I/O端输入要写入的数据～要写入单元的地址码，然后再使＝0，＝0。必须注意，在＝0时，输入一个负脉冲，则能写入信息；同样，＝0时，输入一个负脉冲，也能写入信息。因此，在地址码改变期间，或必须至少有一个为1，否则会引起误写入，冲掉原来的内容。为了确保数据能可靠地写，写脉冲宽度tP 必须大于或等于手册所规定的时间区间，当写脉冲结束时，就标志这次写操作结束。 ns。 随机存取存储器种类很多，2114A是一种常用的静态存储器，是2114的改进型。实验中也可以使用其他型号的随机存储器。如6116是一种使用较广的2048×8的静态随机存取存储器，它的使用方法与2114A相似，仅多了一个输出使能端，当＝0、＝0、＝1时，读出存储器内信息；在＝1、＝0、＝0时，则把信息写入存储器。 （二）只读存储器（ROM） ROM），只能进行读出操作，不能写入数据。 ROM、可编程只读存储器PROM和可抹编程只读存储器EPROM三大类，可抹编程只读存储器又分为紫外光抹除可编程EPROM和电改写编程EAPROM等种类。由于EEPROM的改写编程更方便，所以受用户欢迎。 ROM） ROM的结构与随机存取存储器（RAM）相类似，主要由地址译码器和存储单元矩阵成一个或门阵列。输入地址码与输之间的关系是固定不变的，出厂前厂家采用掩模编程的方法将存储矩阵中的内容固定，用户无法更改，所以只要给定一个地址码，就有一个相应的固定数据输出。只读存储器往往还有附加的输入驱动器和输出缓冲电路。 可编程PROM只能进行一次编程，一经编程后，其内容就是永久性的，无EPROM）（或称可再编程只读存储器（RPROM）），可多次将存储器的存储内容抹去，再写入新的信息。 EPROM可多次编程，但每次再编程写入新的内容