集成电路原理第六章课件.pptVIP

如图6-23（a）所示，在p、n管栅极与Vin之间分别接入适当值的电压VTR，可使电路的性能得到改善。 其实用电路如图6-23（b），分析工作过程如下： Vin增加，M1电流增加，通过M4、M7镜像到M8，使其电流增大；同时，M2电流减小（若工作于乙类，则关断），镜像到M6的电流减小（或关断），负载电流主要通过M8，即M8为负载电流的沉。 Vin减小，则情况相反。具体电路工作在甲乙类还是乙类状态，由VGG3、VGG4决定。 （3）甲乙类/乙类源跟随放大器 （a）原理图 （b）实用电路 图6-24 甲乙类/乙类源跟随放大器 电路原理图结构如图6-24（a）所示，注意M1为PMOS，M2为NMOS。 图6-24（b）为其实际电路，调整M6的栅偏VGG6和M4、M5器件尺寸，实现M1、M2的VTR偏置，使其工作于甲乙类或乙类。 工作过程与推挽反相放大器类似。 输出幅度受到限制： 6.3 CMOS集成运算放大器 6.3.1 集成运放设计的边界条件和主要指标 1、边界条件 ? 工艺要求（VT、K、COX??） ? 电源电压和范围 电源电流和范围 ? 工作温度和范围 C——商业级：0 ? 70 ℃ I ——工业级：-20?85 ℃ E——扩展工业级：-40?85 ℃ A——航空级： -40?85 ℃ M——军品级：-55 ? 125℃ 单位增益带宽GB（Unit Gain Bandwidth） ——运算放大器的增益随着频率升高将逐渐下降，当其下降到1倍（0dB）时，所对应的频带宽度称为运放的单位增益带宽。 2、主要技术指标 直流开环增益AV ——运算放大器在没有外部反馈时，输出电压的增量与输入电压的增量之比称为直流开环增益，是运放的一个重要参数，通常用dB表示，一般其值越大越好。 ? 建立时间（Settling Time） ——当一个交流信号激励运放时，输出达到最终值（预定的精度内）所需的时间。狭义的建立时间是一种小信号特性，但广义上讲，包含了大信号建立和小信号建立两部分。该参数在模拟抽样数据电路中尤为重要。 ? 转换速率（Slew Rate） ——输出端电压变换速率的极限，一般取决于前一级所能提供的充放电电流能力决定，是一种大信号现象。 建立过程示意图 ? 共模输入范围CMR（Common Mode Input Range） ——运放输入端所能承受的最大共模电压，即输入信号允许变化的电压范围，一般低于VDD，高于VSS。 ? 共模抑制比CMRR (= ) 电源抑制比PSRR 输出电压摆幅 ? 输出电阻 ? 输入失调电压 噪声 版图面积 3、运放反馈系统的稳定性及其补偿 （1）反馈系统稳定性要求 运放实际应用时，通常是通过反馈系统构成如图6-25所示的闭环回路工作，其闭环增益： 图6-25 运放闭环工作回路 A(S)——运放开环电压增益 F(S)——输出通过反馈回到输入的传输函数（Transfer Function） 运放的稳定性判据 ——通过反馈回到输入端的信号应满足一定的幅值和相位条件，使信号不会在环路内产生再生现象，否则，可能使放大器输出箝位在某一电源电位上（直流再生），或产生振荡（在某一交流频率下再生）。为保证系统稳定，应有： （6-59） 或 （6-60） 若满足条件（6-59）或（6-60）,则该系统被认为是稳定的。 其中，?0o、?0dB分别由下列式子确定： 而Arg[L(j?0dB)]称为相位裕度，即开环相频特性曲线上与幅频特性曲线的单位增益带宽频率处对应的相位值，一般至少取45?，多数情况取60?。 （6-27） 而BE结导通电压为负温度系数，Why? 根据半导体能带理论，温度升高，半导体内载流子具有的能量增加，本征激发增强，本征载流子浓度ni增大，由PN结接触电势差 ， 将随之降低，即BE结导通电压随温度升高而降低，因此，VBE是负温度系数。由图6-13可得： 以上式中： S — MOS管的宽长比W/L Vg0 — Si禁带宽度电压 VBEO— T=T0时，接成二极管形式的VBE值 n — 亚阈值倾斜因子，由实验数据提取获得。 n’ —与双极晶体管工艺有关，一般为1.5?2.2。 ID0 —与工艺有关的参量，受VSB、VT的影响 求得： （6-28） 又∵ ∴ （6-29） VREF的温度系数： （6-30） 基准电压VREF为 令 ，则 （6-31） （6-32） 如电路设计使各M