集成电路设计3-版图设计课件.pptVIP

junyu@dlut.edu.cn 集成电路课程设计 主讲：余隽 版图设计（物理层设计） 硅芯片上的电阻？电容？电感？晶体管？连线？ CMOS集成电路基本工艺流程 CMOS基本工艺中的层次 硅芯片上的电子世界--电阻 能与CMOS工艺兼容的电阻主要有四种： 扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻、MOS电阻 电阻版图设计 比例电阻的版图结构 需5K,10K,15K电阻，采用5K单位电阻： 硅芯片上的电子世界--电容 两层导体夹一层绝缘体形成平板电容 金属-金属（多层金属工艺，MIM） 金属-多晶硅 多晶硅-多晶硅（双层多晶硅工艺,PIP） 金属-扩散区 多晶硅-扩散区 PN结电容 MOS电容:多晶硅栅极与沟道（源/漏极） 比例电容的版图结构 平板电容 MIM结构，使用顶层金属与其下一层金属； MOS电容 硅芯片上的电子世界--电感 电感版图设计 关键尺寸与剖面图 D: 边长/直径 diameter W: 线条宽度 width S: 线条间隔spacing between N: 匝数 number of turns 硅芯片上的电子世界—晶体管 CMOS N阱工艺中二极管结构有两种，一是psub-nwell，另一个是sp-nwell 硅芯片上的电子世界—晶体管 三极管的设计 三极管的设计 三极管的设计 硅芯片上的电子世界—MOS管 CMOS的设计 硅芯片上的电子世界—引线 硅芯片上的电子世界—引线 硅芯片上的电子世界—引线 版图：描述电子元件以及引线的形状、位置 层次化； 方块图形； 与芯片加工工艺密切相关； 芯片加工厂只需要版图文件，不需要任何电路原理图文件。 CMOS标准工艺的主要层次与掩膜版 版图设计 电子设计 + 绘图艺术 仔细设计，确保质量 MOS管的版图设计 MOS管的版图设计 大尺寸MOS管的版图设计 大尺寸MOS管用于提供大电流或大功率的输出，在集成电路的设计中使用非常广泛。 它们的版图一般采用并联晶体管结构。 灵活的版面设计 看版图画原理图： 大宽长比的非门 X=C ? (A + B) 看下图，它是什么器件，关键尺寸是多少？ 多晶硅跨过N扩散区，所以它是NMOS; MOS管的版图布局 在版图布局中必须考虑器件分布方式对电路性能的影响，通常尽量对称布局。 器件个体或匹配体的版图设计问题:需考虑形状、方向、连接以及匹配器件在相对位置、方向等方面的问题。尽量通过版图设计避免或减小工艺过程中引起的失配或/和误差。 采用小而多的接触孔，并且接触孔单元尽可能覆盖沟道宽度。 Out A Out V DD GND B A vdd gnd Out B vdd PMOS并联 NMOS串联 Out = A ? B 共用有源区 VDD GND A gnd B vdd gnd Out Out = A ? B C A B vdd gnd X vdd A B X C gnd 多晶硅 薄氧 4um 25um N+ 金属 多晶硅 薄氧 4um 25um N+ 沟道长：沟道宽： 金属 （电流从漏到源经过的沟道长度）（垂直于沟道的扩散区宽度/电流通道的宽度） D S 125um4um 电阻是最常见的电子元件，具有稳定的导电能力。在硅芯片上，电阻就是一层导电薄膜。最常用的是多晶硅薄膜电阻，它的导电能力可以通过掺入杂质元素进行调节。 薄膜电阻的厚度为几百纳米，线条宽度几个微米，尺寸仅为普通电阻的万分之一。 电容是电路中用于存储电能的元件，它的基本结构是一对电极中间夹一层电介质的三明治结构。在硅片上，金属薄膜或者多晶硅薄膜都可以用作电容的电极，二氧化硅作为电介质。电容所占面积决定着它存储电能的能力，通常尺寸为几十微米。 电感是电路中用于存储磁能的元件，是射频电路中的重要元件。它的基本结构是一组导电线圈。在硅片上，将导电薄膜盘绕形成回字形线圈就形成了薄膜电感。通常采用金属层制作薄膜电感。 晶体管是20世纪电子技术方面最伟大的发明，是现代半导体电子电路的灵魂。晶体管家族中发展最快、应用最广的是MOS管，M表示金属，O表示氧化物，S表示半导体。在传统硅芯片集成电路中，M采用多晶硅薄膜，是控制MOS管导电性能的电极，称为栅极；O采用很薄的二氧化硅，是绝缘电介质；S采用单晶硅，通过掺入不同的杂质元素，形成了管子的源极、漏极和基极，为MOS管提供电流通道。 晶体管是20世纪电子技术方面最伟大的发明，是现代半导体电子电路的灵魂。晶体管家族中发展最快、应用最广的是MOS管，M表示金属，O表示氧化物，S表示半导体。在传统硅芯片集成电路中，M采用多晶硅薄膜，是控制MOS管导电性能的电极，称为栅极；O采用很薄的二氧化硅，是绝缘电介质；S采用单晶硅，通过掺入不同的杂质元素，形成了管子的源极、漏极和基极，为MOS管提供电流通道。 晶体管是20世纪电