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离子注入 本次课主要内容 离子注入系统原理、结构。 注入离子的射程---- 水平射程、垂直射程。 注入损伤，防止措施。 离子注入效应其他影响效应。 等离子体浸没掺杂。 离子注入的发展 电离的杂质经静电场加速打到晶圆表面，通过测量离子电流控制注入剂量。 掺杂范围1011cm-2～1018cm-2。 20世纪60年代开始研究，第一台商用机出现在1973年。 1980年大多数工艺技术都采用全离子注入工艺。 离子注入的缺点 入射离子对半导体晶格有损伤，需要消除，但完全消除比较困难。 很浅的、很深的注入都很难实现。 高剂量注入时-----和扩散工艺比较（200片同时运行），产率受到限制。 设备昂贵，最新设备，一台达200万美元。 理想化的离子注入系统 离子源 将注入物质气体送入系统，硅工艺----BF3、AsH3、PH3；砷化镓工艺----SiH4、H2。 通过不同阀门开关选择不同气体，气流量由可变节流孔控制。 注入成分是固态材料，需要加热产生蒸汽作为杂质源。 固态离子源加热器 固态离子源加热器（续） 材料在源加热炉加热，蒸汽流通过灯丝，电子流维持辉光放电。 气体流入放电腔-----分解成各种原子或分子并使其中一部分电离。 电离过程： 进气流通过节流孔进入低气压的源室，源室内气体从热灯丝和金属板之间流过。 相对于金属极板，灯丝维持在一个大的负电位。 电子从灯丝热发射出来，向极板加速运动，同时与气体分子碰撞并传递部分能量。 电离过程（续） 当传递能量足够大，气体分子被分解。 例：BF3----B、B+、BF2+、F+ 为提高电离效率，在电子流区域加磁场，使电子旋转运动。 源室出口外侧施加比灯丝电位低很多的电位，正离子被吸向源室出口，经狭缝离开源室。 粒子束质量： 离子束宽几毫米、1～2厘米长、达几个毫安、典型气压值10-5 ～ 10-7Torr 离子的选择 通过分析磁铁完成选择。 离子束进入一个同样维持低气压的大腔体，腔体内的磁场方向垂直于粒子束的速度方向。 质量分析室还设有另一个狭缝，使一种质量的离子具有正确的曲率半径离开分析器。 质量分析器结构 BF3源气体的能谱 质量分析器分析 离子的加速 离子的加速可在质量分析之前、或者之后。 先加速后分析，可以降低离子在达到晶圆表面之前丢失电荷的可能性。但需要一个大磁铁。 先分析后加速，加速管道长达几米。管道真空度超过10-6Torr。 利用静电透镜将离子束聚焦为一个圆斑或长条，再进入静电加速器。 静电加速器由一组分压网络的圆环组成，调节分压网络供电电压调节离子束能量。 中性粒子处理 中性粒子是离子和热电子的结合物。在终端台的静电扫描装置中不能被偏转，需要排除，否则会沉积在晶圆的中心。 让离子束从一个静电偏转系统的两块平行电极板。中性粒子不受电场作用，不能偏转入弯道，离子束可以继续沿着弯道继续运动。 终端台的偏转系统 终端台的偏转系统（续） 垂直、水平偏转板-----加工速率比较低。 单偏转系统，离子束在一个方向扫描，水平方向扫描由圆片相对于离子束作机械运动来完成。晶圆可以夹住 或靠离心力来固定。 优点： 一批晶圆同时注入，晶圆上没有很大的热负荷。 机械扫描方向上离子束与晶圆夹角保持不变。 晶圆按批同时装卸，减少了抽真空时间。 实际应用中，两个转盘并列，轮流注入、装卸、抽真空。 注入剂量的控制 利用法拉第（Faraday）杯实现注入剂量的控制。 法拉第杯能捕获进入其中的所有电荷。 在法拉第杯和地之间接安培表，可以直接测量打到晶圆上的离子流。 注入离子剂量就是电流对时间的积分，并除以晶圆面积。 法拉第杯 杯形电极检测器，用于收集通过杯的带电粒子的电荷，其设计使检测器发射的带电粒子减至最小。 法拉第杯有“黑洞”特性。当它开启时，只让带电粒子从外部进入，不让任何带电粒子从内部逸出。 将杯的黑洞特性与电子和次级离子过滤器相结合，法拉第杯是理想的离子束检测器。 法拉第杯只对前进运动的离子束开启，它对杯内外的所有电子和次级离子是关闭的。 库仑散射 离子注入垂直投影射程 高能离子一进入固体就开始损失能量，在半导体中行进的距离就是射程R。 对于均匀的离子束，在靶材料中的平均深度，就是投影射程Rp。 靶材料中的能量损失涉及到两种机制： 离子----电子相互作用。包括价电子、核电子 库仑相互作用。 任何单个的电子离子相互作用不会显著的改变入射粒子的动能。 垂直投影射程（续） 连续流的作用原理 入射离子和电子的作用数量很多，但作用较小的孤立作用可以用连续流的作用原理进行近似。 电子对离子的影响很象一个粒子在流体中的移动，电子产生的黏滞性可被赋予晶体介质。 由于电子阻滞而损失的能量： 无定形固体 入射离子和晶格离子相互作用，由于入射离子和靶