集成电路设计第3部分课件.pptVIP

扩散 主要内容： 费克扩散定律。 常见杂质的扩散率。 扩散分布的分析。 扩散系统。 杂质在半导体中的作用 对晶圆局部掺杂在半导体制程中必不可少。 向半导体中掺杂的方法有扩散和离子注入法。 扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法。 扩散的优点是批量生产，获得高浓度掺杂。 杂质扩散有两道工序： 预扩散 (?又称预淀积 ?Pre-deposition?)? 主扩散 (?drive?in?) 。 扩散工序 预扩散工序: 在硅表面较浅的区域中形成杂质的扩散分布，这种扩散分布,硅表面杂质浓度的大小是由杂质固溶度来决定的。 主扩散工序: 将预扩散时形成的扩散分布进一步向深层推进的热处理工序。杂质的扩散浓度取决于与温度有关的扩散系数D的大小和扩散时间的长短。 扩散工序(续) 硅集成电路工艺中，常采用硼作为 P 型杂质，磷作为 N 型杂质。 还使用砷和锑等系数小的杂质，这对于不希望产生杂质再分布的场合是有效的。 杂质扩散层的基本特性参数是方块电阻 RF 和扩散结果Xj 。 杂质在晶圆中的分布 扩散结果测量 RF 可用四探针测量法。 对于Xj ： 倾斜研磨（Angle?lapping)? 和染色 (staining) 法， (如用 HF :H3PO4?=?1:6使P层黑化) 倾斜研磨后，经侵蚀的酸溶液蚀刻，将扩散后集积在晶片下半部的析出物凸显出来，显现出密度的轨迹，而在靠晶片的表面附近出现一段空泛区，经过角度换算，约 20um 。 扩展电阻 (?spreading?resistance) 法来进行评估。 一维费克扩散方程 存在浓度梯度时，任何一种可自由运动的材料都会再分布。 材料的移动趋向于将浓度梯度降低，起源是材料的随机热运动。 扩散运动的基本方程就是费克第一定律： 费克第二定律 实际应用中扩散流密度很难测量，引入费克第二定律。以便于测量其中的变量。 费克第二定律（续） 代入费克第一定律表达式有： 扩散的原子模型 扩散的原子模型（续） 替位型杂质的移动直接交换式耗能多。空位交换式耗能较低，是扩散的主要机理之一。 总扩散率 本证载流子浓度和温度的关系 中性空位的扩散率 填隙扩散机制 挤出机制和Frank-Turnbull机制 费克定律的分析解 实际应用中不能把扩散系数认为是常数，需用数值方式对费克定律求解。 表面杂质源固定----预淀积扩散 进入晶圆中杂质数量一定----推进扩散 可以先预淀积再进行推进扩散。 扩散后浓度和深度的关系 常见杂质的扩散率 硼杂质： 浓度在1020cm-3以下的测量数据与本征扩散率一致。 直到浓度达到1020cm-3，扩散表达式中第一项起作用。 当浓度超过，不是所有硼原子都占据晶格位置，其中一些必须处于填隙位置，或者凝聚成团，导致扩散率急剧 下降。 常见杂质的扩散率（续） 常见杂质的扩散率（续） 砷杂质： 砷在硅中通过中性空位和带单个负电荷的空位进行扩散。 扩散率较低，被选为N型杂质满足最小的杂质分布。 例：NMOS的源漏区扩散；多极晶体管的发射区扩散 低浓度的和中等浓度的砷扩散，利用本征扩散来描述 当浓度超过1020/cm3，砷易成团，导致高浓度扩散分布顶部平缓。 高温退火使聚团浓度和替位型砷浓度达到平衡。 常见杂质的扩散率（续） 常见杂质的扩散率（续） 磷杂质： 主要限于阱和隔离。 扩散分布曲线分为三个区域：高浓度区、低浓度区、转折区。 高浓度区，浓度不变，有两部分组成：中性的磷原子----中性空位交换扩散；磷离子和带两个负电荷的空位组成的离子空位对----空位对扩散。 转折区，电子浓度急剧下降，大部分离子空位对发生分解，未配对离子继续扩散，分解增强过剩空位浓度，提高了尾区扩散率。 常见杂质的扩散率（续） 常见杂质的扩散率（续） 锌杂质 对GaAs，杂质扩散取决于空位和填隙原子的带电状态，空位是镓空位还是砷空位。 对GaAs晶圆P型杂质用锌，N型杂质用硅。 锌的扩散有一个宽的平台区和陡降的尾区。 平台区的浓度受限于锌的固溶度。 锌扩散包含两部分：空位扩散、替位-填隙扩散。 锌杂质（续） 替位-填隙扩散速度快于空位扩散。其中锌以两种形式存在：带正电的填隙式离子Zn+，替位型离子Zn-。 Zn+，浓度低、扩散快。Zn-，通过中性空位交换，速度慢。 Zn+，遇到镓空位，被俘获，失去两个空穴，变成Zn-，扩散速度降低。 锌杂质（续） 锌杂质（续） 直到杂质浓度降低之前，扩散率很大，浓度降低，扩散率也降低，杂质分布边缘变陡。 由于镓空位多重带电，以及替位型离子和填隙型离子形成离子对，扩散曲线尾区出现转折现象。 锌杂质（续） 常见杂质的扩散率（续） 硅杂质 硅是IV族元素，在GaAs中既可以是P型杂质，也可能是N型杂质。 两种晶格位置上硅原子浓度之差就是载