集成电路封装技术2课件.pptVIP

薄膜基板 虽然在薄膜淀积过程中，也要给基板升温，但这个温度相比于厚膜烧结温度要低的多。这样，就使薄膜工艺可选择的基板材料更多，可以使用像玻璃和低温陶瓷这类材料。 最好的材料是高纯（99.5%）氧化铝，即蓝宝石，氧化铝的一种，使用在重要的高频领域。用作薄膜基板必须具有比厚膜更平整的表面，CLA（表面粗糙度的中线平均值）大约0.6～1.02μm。烧结后的基本要优于抛光的基板，因为在抛光过程中往往带来表面的麻坑。 光洁的表面对得到一致和可靠的产品是分成关键的。因为即使是达到0.6～1.02μm，淀积膜的厚度仍远远小于表面起伏，这样电阻的稳定性就会变差。此外，导体在有污点的地方会比较薄，将导致引线键合和芯片粘结的失效。 某些新材料，例如AlN，一开始更适合用在薄膜工艺中，因为不需要对基板进行特殊处理。 薄膜材料 第三章 厚薄膜技术 3.4 薄膜技术 厚膜与薄膜的比较 尽管薄膜工艺提供了较好的线条边缘清晰度，更小的线条几何尺寸以及更优良的电阻特性，但是它与厚膜比较而言有以下几个缺点： 薄膜材料 第三章 厚薄膜技术 3.4 薄膜技术 ①由于要增加更多的操作，薄膜工艺几乎总比厚膜贵。只有当许多薄膜电路能够制造在单个基板上时才能使薄膜工艺在价格上有竞争力。 ②很难制作多层结构。它们能够用多层淀积和刻蚀工艺，但这种工艺十分昂贵，并且是劳动密集型工艺，因此只限于很少的应用中。 ③在大多数情况下，由于受限于单一的方电阻率，这样制造大阻值和小阻值的电阻时都需要大面积的区域。一是薄膜材料的方电阻率本身低，二是更换其它合适的方电阻率材料不如厚膜那么容易，花费的成本也高。 常用的做法是在厚膜基板上的性能或空间有局限的地方利用薄膜电路。 * 导电机制 由于RuO2的优越性能，常用作为厚膜电阻的材料。低阻值厚膜电阻体中的RuO2在烧结过程中相互连接，形成网络结构，构成导电通路。但在高阻值情况下RuO2并不连接在一起。 厚膜电阻的结构和导电机制 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 厚膜电阻器电特性的主要参数： 方电阻 电阻温度系数 非线性 噪声和稳定性 厚膜电阻的主要参数及基本性能 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 方电阻 简称方阻，也称膜电阻。它是指厚度均匀的一块正方形膜，电流从一边流向另一边时所具有的阻值。用Rs表示，单位为?/方或?/□。 根据上面的方阻定义，可以得出方阻Rs与膜厚度t及材料电阻率ρ的关系。对于下图所示的任意一块厚膜，其电阻值R可用下式来表示： ρ为电阻膜的体积电阻率（??cm）；l为膜的长度；s为膜的横截面积；w和t分别为膜的宽度和厚度。 方电阻 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 （式3.1） 如果膜的长宽相等，即为正方形时，l=w,则上式变为 根据方阻的定义，此时膜的电阻R即为方阻Rs，因此 方阻的大小只与膜材料的性质（ρ）有关，而与正方形膜的尺寸大小，即正方形的大小无关，因而方阻Rs表征了厚膜的电阻特性。引入方阻后，3.1式的电阻值可写成： 式中：N是电阻膜的长宽比，称为方数。 一般厚膜电阻的阻值由材料的方阻Rs和膜的几何尺寸决定，可以通过不同方阻值的厚膜材料和不同尺寸大小来达到所需的阻值。 对于一种厚膜电阻材料，例如RuO2电阻材料，希望它的方阻范围越宽越好，这样可以满足电路中各种阻值的要求。 方电阻 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 （式3.2） （式3.3） 电阻温度系数是表征厚膜电阻器组值稳定性的一个重要的参数，它反映了阻值随温度变化的特性。电阻温度系数通常用TCR来表示，它表示温度每变化1℃Rs时，电阻值的相对变化，即： 式中，R1、R2分别为温度T1和T2时的阻值。T1通常为+25℃，而T2目前规定为+125℃或-55℃。 +25℃～+125℃范围测量的TCR称为正温TCR，而在+25℃～-55℃范围测得的TCR为负温TCR。温度系数单位用ppm/℃（即10-6/℃,百万分之几来表示）。 电阻温度系数 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 （式3.4） 希望材料或电阻器的TCR绝对值愈小愈好，最好接近于零。这样，阻值几乎不随温度而变，因而性能稳定。TCR的大小与多种因素有关，主要有： ①厚膜材料的种类、性质； ②制造工艺； ③测量温度范围； ④基板的热膨胀系数等有关。 电阻温度系数 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 方阻低的浆料，TCR具有较大的正值（因为导电材料含量较多，玻璃含量较少，所以温度特性以