薄膜太阳能电池班级自控四乙学号49512073指导老师戴子尧.doc

薄膜太陽能電池 班級：自控四乙 學號指導老師：戴子堯 姓名：林晉猷 前言 由於全球氣候變遷、空氣污染問題以及資源日趨短缺之故，太陽能發電做為動力供應主要來源之一的可能性，已日益引起人們注目，這也是近年太陽能電池市場快速成長的原因。 薄膜太陽能電池在未來極被看好，目前已進入量產階段的薄膜太陽電池有非晶矽(a-Si)、碲化鎘(CdTe)、硒化銅銦鎵(CIGS) 等三種。鎘具有毒性，在台灣曾經發生過鎘米事件，所以碲化鎘發展有限。現在政府積極推動CIGS。 CIGS結構 在基板上濺鍍鉬金屬電極薄膜，經過雷射蝕刻處理後，使用濕式製程進行銅、銦、鎵成膜過程，接著還有硒化處理、硫化鎘（CdS）鍍膜處理、透明導電膜、表面電極膜等鍍膜處理。 CIGS製程 CIGS 主吸收層材料的製程方法很多， 大致可分為真空與非真空 真空製程： 在玻璃上用蒸鍍或濺鍍製程鍍上鉬 使用雷射切割，以便導通 再鍍上硫化鎘 接著鍍上CIGS 最後將氧化鋅鍍上 真空製程的CIGS太陽能電池薄膜結構，多以四元共蒸鍍(co-evaporation)或是真空濺鍍(Sputtering)再加上硒化法(selenization)來製作。 蒸鍍：藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積。 濺鍍：利用電漿所產生的離子，藉著離子對被濺鍍物電極 (Electrode) 的轟擊(Bombardment)，使電漿的氣相 (Vapor phase) 內具有被鍍物的原子，然後產生沉積鍍膜。 硒化：硒化(selenization) 反應法鍍製CIS薄膜。其中硒化製程是先分別鍍製特定厚度Cu和In 金屬膜，以達成特定的原子數配比，再置於H2Se 氣體或Se 蒸氣之中，以400 °C 以上的溫度讓其反應成，CIS 化合物。其好處在於可使用大面積濺鍍製程、甚至是低成本的墨印(ink printing) 製程，可適合於量產之規畫。新式硒化法採用快速退火(rapid thermal annealing，升溫速率至少10 °C/s以上)， 可將基板上Cu/In/Se 三元素預鍍層(precursor films) 以400－500 °C 的溫度，在極短時間(1－5分鐘) 內完成硒化反應，顯然此一製程更具產量大與成本低的優勢。 蒸鍍多為單一腔體，濺鍍多為連續式，由好幾個腔體組成。 非真空製程： 使用濺鍍機鍍上鉬 再使用雷射切割出所要的圖形 使用塗佈機將CIGS印刷上 成長CdS 再切割一次 最後濺鍍上ZnO 非真空製程則以電鍍（Electrodeposition）或合成各種化合物材料， 再以塗佈製程（CoatingProcess）製作於基板上。 蒸鍍機： 濺鍍機： 雷射切割機： CIGS設備整廠： 參考資料： 科儀新知第三十一卷第三期 CdTe和CIGS薄膜太陽電池技術 電子月刊第十四卷第七期 CIGS薄膜太陽電池技術優勢與研發進展 創寶科技