信息纳米技术及其应用CH2纳米粉料2009课件.ppt

CH3 纳米固体材料 纳米固体：由纳米微粒组成的体相材料。 包括： 纳米块体：体型材料，如纳米陶瓷。 纳米薄膜：颗粒膜、多层膜、纳米膜 按结构分： 纳米晶材料：nano crystalline 纳米非晶材料：nano amorphous 纳米准晶材料：nano quasiperiodic crystal 纳米固体的制备： 纳米金属与纳米合金制备、纳米陶瓷、纳米薄膜 纳米固体的性能： 纳米固体的结构特点、纳米固体的力学性能、热学性能、磁性能、光学性能、电学性能等 3.1 纳米固体的制备 3.1.1 纳米金属与纳米合金制备 纳米粉→加压 块状凝聚体 （1）惰性气体蒸发，原位加压制备法 制备粉粒→收集→低压→高压 优点：块体纯度高、相对密度高（最高达97%），可制备：Fe,Cu,Au,Pd等纳米金属块体，与Si25Pd70,Pd70Fe5Si25纳米合金。 (2) 高能球磨法 制备纯金属纳米材料 Cr, W, Fe, Zr, Hf, Ru b. 制备不互溶体系的纳米材料 Ag-Cu c. 纳米金属间化合物：Ti-B，Si-C，特别是高熔点的金属间化合物。 d. 金属与陶瓷的复合材料 如：Y2O3粉复合到Co-Ni-Zr合金中，使合金Hc提高2个数量级。 纳米MgO or CaO复合到Cu基体中，复合材料的导电率与Cu一样，但强度增大很多。 球磨制备的纳米粉→加压、热处理→块状试样 特点：产量大、工艺简单，可制备高熔点金属与合金材料。 缺点：颗粒尺寸不均匀，易引入杂质。 3.1.2 纳米陶瓷制备 纳米粉+陶瓷工艺：成型、烧结 烧结时，密度增加，晶粒增大。要通过工艺控制，使烧结后材料有较高的密度，又要防止晶粒的过大。 烧结工艺： a. 无压力烧结：工艺简单、成本低，但易出现晶粒快速长大及形成大气孔。 方法：配方中添加晶粒生长抑制剂。如：ZrO2纳米掺入MgO，可抑制晶粒生长。 b. 应力有助烧结：在一定压力下烧结。操作复杂，成本高，但可获得未掺杂高密度陶瓷。如：应力烧结TiO2陶瓷 P=1GPa，770k, Δρ=95%, 十几nm P=0GPa，1270k, Δρ≈95%, 约1um c. 微波烧结： 优点：节约能源，反应快，产品性能好，容易实现较高温度烧结，环保。 纳米陶瓷优点 a. 超塑性，如纳米在低温下有超塑性，Δl100% b. 强度↑ c. 烧结温度大幅度↓（几百度），烧结速度↑，v∝1/d4（烧结速度受晶界扩散控制）。 例：10nm陶瓷粉比10um陶瓷粉的烧结速度提高12个数量级。 纳米MLCC 特点：小体积、大容量、高压BaTiO3陶瓷电容器 MLCC 结构：如图所示。 指标： 层厚：1-3um （普通： ≥5um） ε≥3600 （普通： 2000-3000） 电容：0.1-0.3uf （0402 65层） 击穿电压： ≥5kv/cm tanδ≤1% （普通： tanδ≤5% ） 关键技术： 纳米瓷粉（抗还原、高介电）、超薄流延工艺、纳米/亚微米晶烧结、共烧电极 电极厚度：2-3um 3.1.3 纳米薄膜制备 Sol-Gel法 高速超微粒子沉积法（气体沉积法） 等离子体化学气相沉积（PCVD） 溅射法（Sputtering） 惰性气体蒸发法 (1) Sol-Gel法纳米薄膜制备 提拉法：Dip-coating 旋涂法：Spin-coating 制备Sol→匀胶 or 浸入→提出→热处理→纳米膜 膜厚度可由匀胶次数控制。此法设备简单，操作方便，是制备薄膜的主要方法之一。 如：Fe3O4薄膜 将乙酰酮铁14.3g+CH3COOH(68.7ml)+浓硝酸7.49ml→搅拌4h成溶胶→浸入SiO2玻璃，提拉,v-0.6mm/s→1213K, 10min 热处理（重复浸入、提拉、热处理10次→20um以上 α-Fe2O3膜、晶粒直径：约50nm →760-960K,N2还原,5h → Fe3O4纳米膜. 可制备金属纳米膜，铁电、压电薄膜等。如：纳米Cu膜，BaTiO3膜, PLZT膜. （2）高速超微粒子沉积法制备纳米薄膜 高速超微粒子沉积法（气体沉积法） 用蒸发或溅射等方法获得超微粒子，用一定气压的惰性气体载流，通过喷嘴在基板上沉积成膜。可制备：多组分膜，多层膜，尺寸较小的纳米颗粒膜。 高速超微粒子沉积法装置图 （3）（PCVD）制备纳米薄膜 等离子体化学气相沉积（PCVD） 借助于等离子体使含薄膜组成原子的气态物质发生反应，在基板上