1+mm栅宽X波段10+W+AlGaNGaN微波功率HEMT.pdfVIP

1mm栅宽X波段10WAIGaN／GaN微波功率HEMT 陈堂胜 焦刚 钟世昌任春江陈辰李拂晓 (南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京，210016) 在SiC衬底上生长AlGaN／GaN异质结，器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构。凹槽栅使 得器件的跨导由216mS／ram上升到了325mS／mm，结合采用的场调制板减小了器件的电流崩塌， 提高了器件的微波功率性能。研制的器件电流增益截止频率为28GHz，最高振荡频率为606Hz． 加效率(PAE)为45％。 关键词：宽禁带半导体；A1GaN／GaN；高电子迁移率晶体管；场板；栅挖槽 1 引言 A1GaN／GaN异质结材料具有二维电子气面密度高、载流子饱和漂移速度大、击穿场强高、 耐高温等特点，能很好的满足高温、高频大功率器件的需求，因而近年来A1GaN／GaN异质结 扩展了微波功率放大器的设计空间， A1GaN／GaN HEMT可在高电压下工作，因此在同样输出 功率的情况下，AlGaN／GaN HEMT相较GaAs器件具有更小的工作电流，这将大大简化系统的 设计；高输出功率密度和高阻抗特点，使得A1GaN／GaNHEMT易于实现宽带匹配、减小芯片 A1GaN／GaN 面积和器件的封装； HEMT的耐高温特性将降低系统对散热的要求。 近几年来A1GaN／GaNttEMT的研制中通过采用新工艺、新结构，器件性能获得了长足进步， 器件的研究水平也不断提高，并朝实用化方向推进。器件结构方面，场调制板是提升 A1GaN／GaN HEMT功率特性的有效方法，Cree公司采用场调制板将SiC衬底A1GaN／GaNtIE,IT微 波功率特性的优势发挥到了极至，他们研制的器件栅漏反向击穿电压达N170v以上，在120V 漏压下工作时，器件在8GHz输出功率密度30．6W／mm、功率附加效率49．6％，这一功率密度是 迄今为止A1GaN／GaNHEMT器件的最高值[1]。场调制板的采用提高了器件的击穿电压，使得 器件的功率输出能力增强，但不利一面是引入的场板增加了栅漏问的反馈电容，降低了器件 的增益。为补偿场板引入导致的增益降低，NEC采用栅挖槽工艺研制成功了凹槽栅场板结构 AlGaN／GaN HEMT，凹槽栅的采用增大了器件的跨导，从而提高了器件的增益，他们研制的4ram 栅宽单胞器件在输入信号频率为2GHz、工作电压为48V的工作输出功率达到28．4W(7．1W／mm)， 230W(4．8W／mm)，线性增益为9．5dB、功率附加效率为67％[2]。不仅器件的功率输出能力获 得了提高，器件的实用化也取得了进展，日本Fujitsu报道了用于第三代无线通信系统机站 的150WAlGaN／GaN HEMT功率放大器，该器件采用SiC衬底，在工作电压为63V时的饱和输出 功率为174W、功率附加效率为54％，且该器件在60V下工作1000d、时，输出功率和功率增益 都没有退化，基本达到了实用的要求[3]。在器件实用化工作方面，美国的Nitronex也非常 突出，他们研制的A1GaN／GaN HEMT除了良好的微波性能外，同时也达到了实用的要求，可靠 性实验表明他们研制的器件在200C结温下工作寿命可达N20年，并且他们的器件采用了si 衬底，这将大大降低器件的应用成本[4]。本文报告的A1GaN／GaNHEMT采用了生长在Si肼于底 上具有GaN帽层的A1GaN／GaN异质结材料，通过结合凹槽栅和场调制板两者的优点，提高了器 件的性能，所研制的lmm栅宽器件在8GHz～36V工作电压下输出功率为10．1w，功率密度达到 了10．1W／mm。 370 2器件结构及工艺 图1给出了本项研制的凹槽栅场板结构A1GaN／GaNHEMT的示意图。器件研制中采用带 GaN帽层的A1GaN／GaN异质结材料为金属有机化合物气相淀积技术在半绝缘的SiC衬底外延 未掺杂，AIGaN势垒层中Al的摩尔含量为0．25。AIN隔离层的引入不仅可以有效减小势垒层 的合金无序散射，提高势阱中2DEG的迁移率，同时还可以增加A1GaN／GaN异质结的导带的 质结形成的二维电子气密度，但