140GHz+GaAs+PIN管单刀单掷开关单片.pdfVIP

i-40GHz6aAsPI N管单刀单掷开关单片 ·c陈新宇许正荣蒋幼泉黄子乾李拂晓 (南京电子器件研究所，南京，210016) 摘要：采用GaAs PIN二极管，完成I~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。砷化镓PIN 二极管SPST开关单片具有低插损，高隔离，高功率的特点，在l一10GHz带内插损0．3dB， 度大于30dB。PIN二极管SPST开关单片的ldB功率压缩点P．1大于lW．GaAsPIN二极管 开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，乃76mmGaAs圆片工艺加 工制作。 关键词：毫米波砷化镓PIN二极管单刀单掷开关单片 1 引言 在毫米波通讯系统中，宽带开关具有广泛的应用。目前毫米波开关通常采用PHEMT管 和PIN二极管两种器件形式，其中PHEMT开关单片易于集成，但承受功率低，工艺要求高， 至少采用O．25微米工艺，和PHEMT的宽带开关MMIC相比，采用硅PIN二极管的开关具 有插损小，功率大的优点，但不易集成，频率特性不佳。而GabsPIN二极管具有低的导通 电阻，小的结电容，高击穿电压，易于集成等特点，因此采用GaASPIN二极管的毫米波宽 带单片开关，具有插损小，频带宽，体积小，功率大等优点，受到广泛重视和应用。 本文介绍了采用GaASPIN二极管的宽带毫米波单片开关的设计和制作，毫米波SPST 离度大于30dB。GaAs PIN的单刀单掷开关单片的ldB动率压缩点P．1大于lW。 2 SPST开关单片设计 在P型半导体和N型半导体之间插入一个未掺杂的本征层(1层)就构成PIN二极管。 材料结构参见图l。当PIN二极管正向偏置时，电子和空穴分别从N、P层注入到I层，由 于I区电荷的存在，产生了微波电导率，对微波信号呈现低阻抗。因此在微波频率下，PIN 二极管成为一个电流控制的可变电阻． 图I GaAsPIN管SPST开关的结构图2 PIN二极管的等效电路图 Crosssectionview Fig．I ofOaAsPINdime Electrical modelofPINdime Fig．2 equiVaJem 图2是线性PIN二极管本征模型的等效电路，Rs、Ls分别为寄生的串联电阻和电感， m和Ci是二极管本征层(I层)的电阻和结电容，内和Cj是二极管耗尽层的电阻和结电容。 PIN二极管器件模型采用PIN二极管电路模型，器件材料结构设计根据工艺和电路要求 综合考虑。毫米波单片开关电路采用2个并联的PIN二极管，通过宽带的CAD模拟，计算 微带线L1、L2和L3的长度和宽度。优化微带线L2的长度，在毫米波下获得高的隔离度。 图3是毫米波PINSPST开关的电路拓扑图。虚框内器件采用单片集成，外加隔直电容和电 源偏置。 o一 111 ‘一………．．-J 图3PIN二极管SPST单片的电路拓扑图 ThecircuitofPINSPSTMMIC Fig．3 3 毫米波SPST单片性能 GaAS PIN二极管材料采用MOCVD外延生长技术，其材料的层结构见图l。利用3英 寸GaAs单片技术加工。采用化学腐蚀工艺完成器件的台面结构，Ti／Pt／Au和Au／Ge／Ni分别 用于P型欧姆接触和N型欧姆接触，电镀加厚内部连线及微带线，PECVD生长的Slqq介质 膜做为GaAs表面的钝化保护。正面工艺完成后，单片减薄至100um，并通过干法刻蚀及背 面金属化，完成单片的通孔接地，减小器件的串联电感。 PIN 在DC测试中，GaAsPIN二极管的反向击穿电压大于35V。图4是GaAsSPST开