54GHz+1W+InGaPGaAs+HBT功率管.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 5．4GHzlWInGaP／GaAsHBT功率管 中华军，陈延湖，葛霁，王显泰，刘新宇，吴德馨 中国科学院微电子研究所，北京100029 摘要：在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP／GaAsHBT功 率管，器件的热稳定性和高频功率特性良好。电流增益截止频率(五)和最大振荡频率 (五。，)分别为34GHz和32GHz：10×30X2um2功率管的LoadPull在片测试饱和输出 功率为1w，功率密度3．33W／mm；ldB功率压缩点输出功率为28．8dBm，线性功率增益大 于9dB。 1引言 GaAs基异质结双极晶体管(HBT)功率器件具有高功率密度，高线性度，高效率， 可实现单电源供电等优点uql；并且InGaP／GaAsHBT与AIGaAs／GaAsHBT相比，具有电 流增益高，热稳定性好，工艺重复性好、成品率高和可靠性、长期稳定好等优点，目前 InGaP／GaAsHBT功率器件和电路广泛应用无线通讯设备(如手机、蓝牙通信、WLAN、卫 星转发器等)的功放电路中，对功率器件的热稳定性和功率特性都有很高的要求。 本文通过设计HBT外延材料结构和器件结构，采用基极一发射极金属自对准、发射 HBT 极镇流和Ledge钝化H1等工艺技术在4英寸化合物工艺线上自主研制的InGaP／GaAs X30X2 功率管的功率密度达到3．33W／mm，10 H／112功率管的饱和输出功率为1w，是目 前国内报道的最好结果。 2器件的设计和制作 InGaP／GaAs 表1 HBT的器件材料结构 Layers X Thickness／nmDopingcone．／cm3Dopant 0．6 50 l×1019 Si n+-In。Gal一；As 0．6-0 50 1×1019 Si n+-In，Gal一。As rl+-GaAs 250 5×1018 Si 0．5 50 3×1017 Si n～In。Gal-xP GaAs 4 undoped p++-GaAs 80 4×1019 Be GaAs 3 undoped n一一GaAs 1000 1×1016 Si n+-GaAs 500 5×1018 Si S．I．GaAs 设计优化HBT外延材料结构，表l为MBE外延生长的器件材料结构，基区为采用Be 掺杂的高掺杂区，有效降低器件的基区体电阻和基极金属的欧姆接触电阻，并采用基极 1506 2005’全国微波毫米波会议论文集 一发射极金属自对准工艺，进一步降低外基区电阻，提高器件的高频功率性能。Ledge 钝化外基区技术的采用有利于提高功率器件的直流增益和可靠性。增加集电区厚度为 l u 功率器件采用台面腐蚀隔离方法，减小了基区一集电区寄生电容，电镀空气桥降低了布 线金属爬坡的工艺难度。最终研制的10指HBT功率管如图1所示，功率管采用HBT交 叉指并联拓扑结构，每个HBT发射极端连接10Q的镇流电阻，相