Al互连线和Cu互连线的EBSD分析.pdfVIP

AI互连线和cu互连线的EBSD分析 刘志民，罗俊锋，王俊忠，张隐奇，吉元 ．北京工业大学，固体微结构与性黪研究所 连线的显微结构进行了分析和对比。Al和Cu互连线的晶粒结构和晶粒取向的形成和发展， 与互连线的制备工艺密切相关，并直接影响着金属化系统的抗电迁徙和应力迁徙的能力。 ion Al互连线采用传统的反应离子刻蚀工艺(reactiveetching，RIE)制备，包括在P型 层和Cu晶种层，然后采用电镀二i_艺，使Cu充满凹槽。最后采用化学机械抛光除去表面多余 ” 的Cu。 EBSD测试和分析采用瞧OL6500热场发射扫描电镜和TSLED哈X的EBSD和，EDS一 体化系统。EBSD因具有．10一2Q曲L韵纵恕空间分辨率，特别适于舛具有微米至皿微米特征尺 寸的单根互连线的晶耱结构和择优取向的统计分析。热场发射SEM的加速电罐30kV。入射 个至50000个之间。EBSD测量分析得到如下主要结果。 多数在80hm。100nm，并随着线宽的减小而明显减小，见表l和图l。这是由于受到大马 士革结构凹槽底韶和侧壁三维方向的约束力，抑制了Cu晶粒的生长，使其明显小于相同 线宽的Al互连线，及相同工艺条件制备的平坦Cu膜的晶粒。， 强度随线宽的减小而减小。见图2。图2中极图的RD方向和T黟方向分荆为互连线的长 度和宽度方向。Cu互连线中{ll1}织构的弱化与大马士革凹槽结构密切相关。在较宽的 Cu线中，金属耋墓曼二维应力状态，自由表面和底面控制品粒和织构的发展，山此很容 易得到沿表面法翔的ttllj电镀织构膜，这是由fcc金属膜中表面髓最小化所决定韵。’而 在较窄的线中，‘孵高尸宽tl：较大的情况下，凹槽侧肇的表面能成为控制晶粒生长和织构形 成的重要因素。侧壁成为{1ll}晶粒形核的主要位置，以及沿侧壁法向生长的{1ll}品粒， 都会导致沿表面法向生长的{lll}晶粒减少。 3．Cu互连线中包含有大量的孪晶界(这里定义的与lll轴早600的fcc理想孪晶界的取向 差设定为O．50—lo以内)，∑3晶界占O．79％；而Al互连线中的∑3晶界仅占0．03％。fcc中 的孪晶界具有低的层错能。由此，高比例的孪晶界会造成相对弱的织构，这与Cu互连线 受到的凹槽的三个界面的约束力相关，即受到Cu膜的应变能最小化的控制。 4．Cu互连线的界面能和应变能最小化可能对Cu互连线晶粒生长期间的织构发展起主要作 用，而Al互连线的表面能最小化则促使{11lj取向的品粒择优发展。 表lAl互连线、Cu互连线和Cu膜的晶粒尺寸(nm) 图lCu和Al互连线的EBSD晶粒取向图 图2 通讯作者：吉元 E-mail：jiyuan@bjut．edu．cn