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亦可表示为： 在0K下，自由电子气的能级分布仅呈现一种微观态，故对应的熵为零。验证如下： 同理，在0K下自由电子气产生强大压力，即 （5.60） （5.61） （5.62） （5.63） 5.4.3 半导体载流子的态密度分布 能带理论更能本质地解释金属与其他固体导电机理的差异。 对半导体，载流子分布的能带结构是半导体理论的主要依据。 T=0K T0K 价带 导带 h e ?g 对于本征半导体, 0K下，价带满占，导带无电子占据；0K以上，少量电子因热运动从价带顶激发到导带底，同时在价带顶产生相应数量空穴。 禁带宽度(带隙)： ?g = ?c- ?v 一定温度下，从价带激发的电子数(或激发几率)与带隙宽度相关，带隙越大，激发越难，导电性越低； ?g过大，不发生电子热激发，即为绝缘体。 掺杂可导致某种载流子数量多：n-/p-型半导体。 半导体中，载流子(电子或空穴)均遵循F-D分布律。 可想象载流子的能量变化近似连续，则导带中电子的态密度分布函数为 ?F为费米能级 对价带中空穴，可以1-f(?)来表示该态的空穴出现几率，即 因一般|?-?F | kT, 故上两式可近似简化为 电子态密度 空穴态密度 （5.64） （5.65） （5.66） （5.67） 1）本征激发：设给定温度下单位体积半导体的导带电子数为ne，则有： 类似地，可推出单位空穴数 （5.68） 导带顶 导带底 （5.69） （5.70） （5.71） 对本征半导体有： 可解出： i) 若空穴与电子的有效质量相当，则有： （5.72） （5.73） 恰处于禁带的中央。 ii) 通常是空穴有效质量大于电子有效质量，故 （5.74） iii) 更严格而论，费米能级的位置还与温度相关。 2）n-/p-型半导体：须考虑杂质的浓度影响 作业： 习题 4, 5，6 (p.257) State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室 Statistical Thermodynamics and Chemical Kinetics State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室 Lecture 5 第五章 量子气体 此前关于离域子体系的讨论均默认粒子能量服从玻尔兹曼分布律，即 由于波函数对称性，离域子体系事实上被分为两类：波函数对称的玻色子和波函数反对称的费米子。 它们分别遵从不同的统计分布律，经典的M-B分布恰恰就是B-E分布或F-D分布的极限形式：只有在足够高温、低密度和粒子质量较大的条件下，M-B分布才能代替B-E分布或F-D分布。 本章将采用巨正则系综推导两类量子气体的分布函数及其性质，并比较三种分布律之间的异同。 （5.1） 5.1 三种能量分布律的比较 5.1.1 玻色-爱因斯坦分布 （B-E分布） 玻色子体系中，粒子占据量子态（能级）的主要特征是每一量子态容纳的粒子数不限。 进一步可按照量子态占据原则来确定其微观状态数tX： 限制条件为： 设体系中粒子分配总能量E的一套组合样式{nj}为： 能级 ?1, ?2, ?3, ……, ?j, …. 简并数 ?1, ? 2, ? 3, ……, ? j, …. 分布数 n1, n2, n3, ……, nj, …. 将全部能级的组合方式连乘即得分布{nj}可能实现的微观状态数为： （5.2） （5.3） 对一给定能级?j ，将nj个粒子分散到? j个简并态就如将nj个大小颜色一样的球放到? j个盒子里，并允许每个盒子容纳的球数不限，其可能实现的组合方式数为： 同理可用拉格朗日待定乘法求函数tX的极值，由极值表征的{nj}分布即为B-E气体的最可几分布： 即为B-E分布律 式中? = -1/kT, 0 ?=?/kT ?。 5.1.2 F-D分布 F-D气体的量子态分布特征：体系中不允许同时出现两个或两个以上量子数完全相同的粒子。 设体系中N个粒子分配总能量E的一套分布样式为: 能级 ?1, ?2, ?3, ……, ?j, …. 简并数 ?1, ? 2, ? 3, ……, ? j, …. 分布数 n1, n2, n3, ……,