LPCVD原位掺杂多晶硅研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究 赵发展海潮和(中国科学院微电子研究所北京100029) 摘要：利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验，结合膜的生 成原理对实验结果进行了分析，并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅生长速率慢的原因进行了 详细阐述，提出了一种利用本征多晶硅衬层提高原位掺杂多晶硅淀积速率的方法，速率提 高约20％，结合模拟对这种方法进行了定量分析。最后探讨了LPCVD原位掺杂多晶硅工业生 产的可行性问题。 关键词：LPCVD，多晶硅，原位掺杂，薄膜，速率 所谓原位掺杂多晶硅是指在淀积多晶硅的同时通入含有杂质的气体，比如PH。和B2He， 使多晶硅均匀的掺杂。而其他掺杂方法，需要在淀积本征多晶硅后再进行一次注入或扩散 工艺。相比之下原位掺杂可以提高生产效率节约成本。在BiCMOS电路中，原位掺杂多晶 硅通过快速热退火形成浅发射结，克服了注入掺杂在发射极窗口出现的阻塞效应，对提高 双极器件性能起了重要作用[1]。但是由于硅烷中杂质气体的掺入，使得反应过程比淀积 本征多晶硅复杂。特别是掺P或As生长n型多晶硅膜时，存在两个严重的问题：一，淀 积速率下降，二，膜厚均匀性变差，物理和化学性能的一致性也不好[2]。因此要生长一 层性能良好的掺杂多晶硅层是制作一个高性能器件的基础。我们在不同的生长条件下进行 了相关实验。 1，实验 5200，源是纯的siH4和IO％PH3的PH。与N2的混和气 实验采用的LPCVD设备是Thermco 体。炉管只有外管，为了满足片间均匀性的要求，淀积采用具有梯度特性的三温区控制， 温度自炉管前端向后端依次升高。实验片生长了1000A二氧化硅，以便膜厚仪对多晶硅膜 厚的测试，摆放在25片舟的中间插槽中，为了保证均匀性我们在试验片两边补满陪片。 件为1000℃20秒。我们分别做了五组实验，主要分析表面情况和温度对生长的影响。 (a) (b) (c) 熏 ＼ 粼 —￡二二二]—寸底 圃Si02层区§圈掺杂多晶硅层匠zz刁本征多晶硅层 图1实验中掺杂多晶硅结构图 实验l，直接淀积掺杂多晶硅92min，结构如图l(a) 并重复6次这个过程，形成掺杂多晶硅与本征多晶硅的交叠层；最后淀积5min 掺杂多晶硅，结构如图1(b) 实验3，只在初始阶段淀积3min本征名品石丰．然后泞积89min掺杂多晶硅．结构如图1(c) 实验4，初始本征多晶硅淀积1．5min，PHs流量降低，其他条件同实验3，结构如图l(c) 实验5，淀积温度降低，其他条件同实验4，结构如图1(C) 详细实验数据和结果见下表 329- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 表1：实验数据及结果 结果 条件 实验 膜厚 方阻 序号 SIH4 PH3 PREST前 T中 T后 A (单位Q／0) SCCm SCCm mt ℃ ℃ ℃ 退火前2380 1 200 100 260 618 628 645 1196 退火后12