射频实验报告3概要.docx

射频电路设计专题实验 实验三 射频功率分配/合成器设计、仿真与测试 班级：信息 姓名： 学号： 一、实验目的 1. 了解功率分配器的原理及基本设计方法 2. 掌握威尔金森功分器的结构、工作原理及S参量 3. 了解利用ADS进行电路优化仿真的基本步骤及方法 4. 掌握利用ADS微带线计算工具LinCalc计算、设计微带线 5. 了解利用ADS在电路板级进行电路仿真的方法与步骤。 二、实验原理 将一路微波功率按一定比例分成n路输出的功率元件称为功率分配器。按输出功率比例不同, 可分为等功率分配器和不等功率分配器。 技术指标： 1.频率范围：分配器的工作频率 2.承受功率：分配器/合成器所能承受的最大功率 3.功率分配比：主路到支路的功率分配比 4.插入损耗：输入输出间由于传输线（如微带线）的介质或导体不理想等因素,考虑输入端的驻波比所带来的损耗 5.驻波比：每个端口的电压驻波比 6.隔离度：支路端口间的隔离程度 2.1 集总参数功率分配器 1. 电阻式（等功率） △形和Y形电阻式功率分配器 用ADS仿真：△形电阻式功率分配器 优点：频宽大, 布线面积小, 设计简单 缺点：功率衰减较大 2. 集总L-C式低通型和高通型功率分配器 用ADS仿真：中心频率为2.4GHz的集总参数L-C式低通型功率分配器，传输线特征阻抗为50欧姆 用ADS仿真：L-C式低通型功率分配器 2.2 威尔金森功分器 威尔金森功分器的设计与仿真 1）设计指标： 频率范围：0.9-1.1GHz 频带内输入端口的回波损耗：S11-20dB 频带内插入损耗：S21-3.1dB, S31-3.1dB 隔离度：S32-25dB 2）微带板材参数 H:基板厚度(0.8 mm) Er:基板相对介电常数(4.3) Mur:磁导率(1) Cond:金属电导率(5.88E+7) Hu:封装高度(1.0e+33 mm) T:金属层厚度(0.03 mm) TanD:损耗角正切(1e-4) Roungh:表面粗糙度(0 mm) 3）设计步骤 1.创建新的WorkSpace 2.画原理图，选择微带线控件分别放置在绘图区中，并用线连接 3.利用微带线计算工具计算微带线尺寸参数 4.设置优化变量 5.原理图仿真：分别查看S11、S21、S22、S23 6.参数优化 7.设置优化方式和优化目标 8.优化仿真 [Simulate]?[Optimize] 9.功分器的版图生成 10.功分器的版图仿真 原理图 原理图仿真 优化仿真 功能器版图 功能器版图仿真 三．功分器的测量 测功分器在800MHz-2200MHz的回损、插损和隔离度 ① 设置激励参数 ② 进行测量校准 ③ 进行测量 实验数据 频率 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 回损 -20.91 -25.463 -26.655 -23.932 -21.979 -21.29 -21.325 驻波 1.196 1.113 1.098 1.136 1.173 1.189 1.188 支路1插损 -3.056 -3.309 -3.042 -2.982 -2.957 -2.92 -2.941 支路1相移 -148.6 -167.68 172.935 153.876 134.398 115.387 95.183 支路2插损 -3.074 -3.06 -3.066 -3.003 -2.977 -2.937 -2.96 支路2相移 -148.02 -167.072 137.692 154.767 135.36 116.353 96.126 隔离度s12 -24.17 -30.217 -33.856 -23.873 -24.53 -22.413 -21.72 隔离度s21 -23.72 -29.935 -33.8 -27.825 -24.293 -22.403 -21.732 频率 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 回损 -22.043 -22.947 -24.182 -25.259 -25.907 -25.48 驻波 1.172 1.153 1.132 1.116 1.107 1.112 支路1插损 -3.032 -3.059 -3.073 -3.102 -3.155 -3.116 支路1相移 75.567 55.61 36.5 16.927 -2.4 -22.26 支路2插损 -3.05 -3.097 -3.115 -3.134 -3.202 -3.167 支路2相移 76.6 5