二次电子发射模型在多级降压收集极CAD中的应用.pdf

二次电子发射模型在多级降压收集极CAD中的应用 金勇兵，杨中海，黄桃，胡权，秦钰昆，杨德欣 (电子科技大学 高能电子研究所， 四川成都610054) E-mail：yongbingjin@126．corn 摘要：多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率上。多级降压收集极中的二二次 电子发射对其效率有重要影响。本文探讨了二次电子发射模型，对二次电子的发射率，角度以 及能量分布情况进行了分析。将其考虑进多级降压收集极CAD设计中，定量分析了其对多级降 压收集极效率的影响。 关键词：多级降压收集极二次电子效率 1．引言 多级降压收集级附加到0形微波放大器件中，例如行波管，速调管，从作用完电子 中回收到可观的能量，由此提高了能量转换效率。尽管如此，在各电极收集到的电子注 却不可避免的会产生二次电子发射，降低了整体效率，同时可能导致电子回流。二次 电子电流回流到高频互作用腔，发现会增加热耗散功率，同时在高频输出窗产生额外 的噪声功率，更严重的后果是导致整管烧毁。因此，从理论上分析二次电子发射模型， 利用计算机模拟技术定量分析不同电极材料以及电极电压下二次电子对收集极效率 的影响，对于管型设计师进行多级降压收集极设计有积极的指导作用。 2．二次电子发射模型 入射粒子撞击固体使之发射出电子的现象称为二次电子发射。在降压收集极中， 作用完电子打到电极上会产生二次电子发射，对多级降压收集极的效率有重要影响。 二次电子发射产生的电子主要分为两类。一类是真二次电子，对这类二次电子发射， 现有的物理模型已经可以可靠的描述其状况，同时对大多数的光滑金属表面提供了一 个方便的分析方法。第二类为背向散射电子，对这类背向散射电子发射的分析描述要 复杂得多，其材料特性也更明显。 2．1真二次电子 真二次电子是由原电子入射到电极表面激发出的二次电子。一般其能量非常小， 通常认为小于50eV。真二次电子的发射系数和原电子的入射能量和角度以及电极材 公式，对于计算二次电子发射系数非常方便。 』盟：(ve-v)t．v：墨二虽· (t) 点一(0) Em。。(0)一Eo V1，k=K1V1 (2) k=毛=O．62 2=0．25 瓦。。(口)=Em。(0)×(1+颤口2／石) (3) 瓯。(p)=氐。。(o)×(1+颤口2／2n) (4) 毛取12．5eV，E为原电子入射能量。崴是表面平滑度系数，对于石墨等粗糙表面近 62 似取0，一般金属表面取默认值1，特别平滑表面最大可取到2。p是入射电子与表 面法向的夹角。氏。是最大真二次电子发射系数，k缸是与氏。对应的原电子入射能 量，它们均是实验值。图一给出了铜的真二次电子发射系数曲线。由于真二次电子出 射的能量及角度与入射电子的能量及角度几乎没有关系。对于真二次的能量及角度分 布可近似看成麦克思韦分布。一个可分离的能量及角度分布函数[2]如下式 0sin (5) 【f(u)du][g(O)sinOdOdqk】=[ueldu][cosOdOdqk／zc】 甜=E／‰，E是真二次电子能量，％是E峰值的一个经验值。图二和图三分别是真 二次电子能量和角度分布曲线。对于二次电子的出射能量我们近似取为50eV，而出 射的角度都近似取为垂直于发射表面的法向方向。 图一：材料铜真二次电子发射系数曲线 图二：真二次能量分布曲线 2．2背散射电子 背散射电子又分为弹性散射和非弹性散射电子。弹性散射二次电子一部分是被表 面势垒反射的，一部分是在表层被晶格反射的。一般认为弹性散射无能量损失，出射 角