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第二章 集成运算放大器的线性应用基础 模拟电子技术基础 孙 肖 子 共发射极直流电流放大倍数: 共基极直流电流放大倍数: 换算关系: 晶体管的放大能力参数 晶体管各极电流关系 ?描述: ? 描述: 2.4.2 晶体管的伏安特性 一、输出特性 放大区(发射结正偏,集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数: 共基极交流电流放大倍数: 近似关系: 恒流输出和基调效应 饱和区(发射结正偏,集电结正偏 ) ? 饱和压降 uCE(sat) ? 截止区(发射结反偏,集电结反偏 ) ?各极电流绝对值很小 二、输入特性 当uBE大于导通电压 UBE(on) 时,晶体管导通,即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ,所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降;当uBE UBE(on) 时,晶体管进入截止状态。 晶体管电流方程: 2.4.3 晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 I——放大区 II——饱和区 III——截止区 2.4.4 直流偏置下晶体管的工作状态分析 确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤: 1.根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到 | UBE(on) | ,则晶体管处于截止状态,IB、IC和IE均为零,再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB; 2.如果第1步判断发射结正偏电压达到 | UBE(on) | ,则晶体管处于放大状态或饱和状态,再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏,则晶体管处于放大状态,这时UBE = UBE(on) 。根据外电路和UBE(on) 计算IB,接下来IC = bIB,IE = IB + IC。再由这三个极电流和外电路计算UCE和UCB; 3.如果第2步判断集电结正偏,则晶体管处于饱和状态。这时 UBE = UBE(on) ,UCE = UCE(sat) ,UCB = UCE - UBE,再由这三个极间电压和外电路计算IB、IC和IE。 [例2.4.1]晶体管直流偏置电路如图所示,已知晶体管的UBE(on) = 0.6 V,? = 50。当输入电压UI分别为0 V、3 V和5 V时,判断晶体管的工作状态,并计算输出电压UO。 解:晶体管三个极电流的正方向如图中所示。当UI = 0 V时,晶体管处于截止状态,IC = 0,UO = UCC - ICRC = 12 V;当UI = 3 V时,晶体管处于放大或饱和状态,假设晶体管处于放大状态,IB = [UI - UBE(on)] / RB = 40 ?A,IC = bIB = 2 mA,UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - UBE(on) = 3.4 V 0,所以集电结反偏,假设成立,UO = UC = 4 V;当UI = 5 V时,计算得到UCB = - 3.28 V 0,所以晶体管处于饱和状态,UO = UCE(sat) 。 [例4.4.2]晶体管直流偏置电路如图所示,已知晶体管的UBE(on) = - 0.7 V,? = 50。判断晶体管的工作状态,并计算IB、IC和UCE。 解:图中晶体管是PNP型,UBE(on) = UB - UE = (UCC - IBRB) - IERE = UCC - IBRB - (1+b)IBRE = - 0.7 V,得到IB = - 37.4 ?A 0,所以晶体管处于放大或饱和状态。IC = bIB = - 1.87 mA,UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - (UCC - IBRB) = - 3.74 V 0,所以集电结反偏,晶体管处于放大状态,IB = - 37.4 ?A,IC = - 1.87 mA,UCE = UCB + UBE(on) = - 4.44 V。 2.5.1 结型场效应管 5.5 场效应管 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |)
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