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第二章　集成运算放大器的线性应用基础 模拟电子技术基础 孙 肖 子 共发射极直流电流放大倍数： 共基极直流电流放大倍数： 换算关系： 晶体管的放大能力参数 晶体管各极电流关系 ?描述： ? 描述： 2.4.2　晶体管的伏安特性 一、输出特性 放大区(发射结正偏，集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数： 共基极交流电流放大倍数： 近似关系： 恒流输出和基调效应 饱和区(发射结正偏，集电结正偏 ) ?　 饱和压降 uCE(sat) ? 截止区(发射结反偏，集电结反偏 ) ?各极电流绝对值很小 二、输入特性 　　当uBE大于导通电压 UBE(on) 时，晶体管导通，即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ，所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降；当uBE UBE(on) 时，晶体管进入截止状态。 晶体管电流方程： 2.4.3　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 I——放大区 II——饱和区 III——截止区 2.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析 　　　　确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤： 　　1．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到 | UBE(on) | ，则晶体管处于截止状态，IB、IC和IE均为零，再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB； 　　2．如果第1步判断发射结正偏电压达到 | UBE(on) | ，则晶体管处于放大状态或饱和状态，再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏，则晶体管处于放大状态，这时UBE = UBE(on) 。根据外电路和UBE(on) 计算IB，接下来IC = bIB，IE = IB + IC。再由这三个极电流和外电路计算UCE和UCB； 　　3．如果第2步判断集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。这时 UBE = UBE(on) ，UCE = UCE(sat) ，UCB = UCE - UBE，再由这三个极间电压和外电路计算IB、IC和IE。 ［例2.4.1］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on) = 0.6 V，? = 50。当输入电压UI分别为0 V、3 V和5 V时，判断晶体管的工作状态，并计算输出电压UO。 解：晶体管三个极电流的正方向如图中所示。当UI = 0 V时，晶体管处于截止状态，IC = 0，UO = UCC - ICRC = 12 V；当UI = 3 V时，晶体管处于放大或饱和状态，假设晶体管处于放大状态，IB = [UI - UBE(on)] / RB = 40 ?A，IC = bIB = 2 mA，UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - UBE(on) = 3.4 V 0，所以集电结反偏，假设成立，UO = UC = 4 V；当UI = 5 V时，计算得到UCB = - 3.28 V 0，所以晶体管处于饱和状态，UO = UCE(sat) 。 ［例4.4.2］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on) = - 0.7 V，? = 50。判断晶体管的工作状态，并计算IB、IC和UCE。 解：图中晶体管是PNP型，UBE(on) = UB - UE = (UCC - IBRB) - IERE = UCC - IBRB - (1+b)IBRE = - 0.7 V，得到IB = - 37.4 ?A 0，所以晶体管处于放大或饱和状态。IC = bIB = - 1.87 mA，UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - (UCC - IBRB) = - 3.74 V 0，所以集电结反偏，晶体管处于放大状态，IB = - 37.4 ?A，IC = - 1.87 mA，UCE = UCB + UBE(on) = - 4.44 V。 2.5.1　结型场效应管 5.5　场效应管 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |)