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金属和半导体的接触 于 倩 倩 110420056 第七章金属和半导体的接触 半导体的功函数 E0与费米能级之差称为半导体的功函数 Ws=E0-(EF )s 7.1.2 接触电势差 金属和n型半导体接触能带图（WmWs) 金属和n型半导体接触能带图（WmWs) 金属和n型半导体接触（WmWs)——小结 当金属与n型半导体接触时，若WmWs，则在半导体表面形成一个正的空间电荷区，其中电场方向由体内指向表面，Vs0,它使半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，形成表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小的多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。 形成n型和p型阻挡层和反阻挡层的条件 大量的测量结果表明，不同的金属，虽然功函数相差很大，而对比起来，它们与半导体接触时形成的势垒高度相差却很小。这说明金属功函数对势垒高度没有多大影响。 进一步的研究也揭示出，这种现象是由于半导体表面存在表面态的缘故。 在半导体表面处存在着表面态，对应的能级称为表面能级。表面态一般分为施主和受主两种类型 如果不存在表面态，半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置，即Ws=χ+En。如果存在表面态，即使不与金属接触，表面也形成势垒，半导体的功函数Ws要相应的改变。 § 7.2金属和半导体接触整流理论 整流理论 扩散理论 热电子发射理论 镜像力和隧道效应 肖特基二极管 7.2.1 整流理论 7.2.3 热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒的宽度时，扩散理论显然是不适用了。在这种情况下，电子在势垒区的扩散是可以忽略，因此，这时势垒的形状并不重要，起决定作用的是势垒高度。半导体内部的电子只要有足够的能量超越势垒的顶点，就可以自由通过阻挡层进入金属。同样，金属中能超越势垒顶的电子也都能到达半导体内。所以，电流的计算就归结为计算超越势垒的载流子数目。这就是热电子发射理论。 7.2.4 镜像力和隧道效应的影响 镜像力的影响 在金属-真空系统中一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时要受到电子的吸引。若电子距离金属表面的距离为x,则它与感应电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于（-x)处的等量正电荷之间的吸引力，如图，7-14所示。这个正电荷称为镜像电荷。这个吸引力称为镜像力。 隧道效应的影响 根据隧道效应原理，能量低于隧道顶的电子有一定概率穿过这个势垒，穿透的概率于电子的能量和势垒的厚度有关。考虑隧道效应对整流理论的影响，可做这样的简化：对于一定能量的电子，存在一个临界势垒厚度xc。若势垒厚度大于xc,则电子完全不能穿过势垒，而如果势垒厚度小于xc,则势垒对于电子是透明的，电子可以直接通过它。 隧道效应引起的的势垒降低是： § 7.3少数载流子的注入和欧姆接触 少数载流子的注入 欧姆接触 对于n型阻挡层，体内电子浓度为n0,接触界面处的电子浓度为： 空穴电流的大小，首先取决于阻挡层中的空穴浓度。只要势垒足够高，靠近接触面的空穴浓度就可以很高 在有外加电压的非平衡情况下，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡时的值。对于空穴则不然。 欧姆接触 金属与半导体接触时有整流接触和非整流接触之分。 金属与半导体接触时形成的非整流接触，即欧姆接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 少数载流子的注入 定义：在金属和n型半导体的整流接触上加正向电压时，就有空穴从金属流向半导体，这种现象称为少数载流子的注入。 * * § 7.1 金属半导体接触及其能级图 § 7.2金属半导体接触整流理论 § 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 § 7.1金属半导体接触及其能级图 金属和半导体的功函数 金属和n型半导体接触能带图 表面态对接触势垒的影响 金属功函数的定义是E0与EF能量之差,用Wm表示,即 Wm= E0 -（EF）m 其表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部 逸出到真空中所需要的最小能量。 说明：功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，Wm越大，电子越不易离开金属。 金属的功函数 7.1.1金属和半导体的功函数 金属和n型半导体接触能带图（WmWs) 接触前 间隙很大 金属和n型半导体接触能带图（WmWs) 紧密接触 忽略间隙 7.1.3表面态对金属势垒的影响 整流理论指的是阻挡层的整流理论 7.