介质阻挡放电等离子体合成碳纳米管.pdfVIP

第六届奎啊表面工程学术套赦 兰州 2006年8月 介质阻挡放电等离子体合成碳纳米管’ 付亚波+，张跃飞，陈强 (fig京印刷学院等离子体物理与材料研究室，北京102600) 摘要：利用介质阻挡放电等离子体化学气相沉积技术，在蒸镀有13nmNi催化剂层的si基材上， 纳米管．实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况，并给出了合成碳纳米管的最佳氨气 含量区间．SliM和TEM测试发现，所合成的碳纳米管具有竹节型结构，Ni催化剂形貌表明碳纳 米管生长符合顶端机制．实验还发现氨气含量对碳纳米管的生长影响很大，并对其原因进行了初步 的分析． 关键词：碳纳米管；介质阻挡放电；Ni催化剂；甲烷；氨气 1引言 碳纳米管(Carbon 材料之一。自1991年碳纳米管被发现，成为目前国际上的研究热门“l。碳纳米管壁上碳原子六角网 格中，c—c间短而强的sp2键及碳纳米管的闭合结构，使其强度极高(约为钢的100倍)，而密度 只有钢的1／6；碳纳米管具有良好的柔韧性，受到外力时弯曲而不断裂；导热性与金刚石相仿而导 电性高于铜，被研究用作高级复合材料的增强体，是被认为有希望最早实现于应用的材料。碳纳米 管具有较好的场发射性能，结合其优良的力学性能，可用作未来平板显示器中的场发射电子枪；由 于优良的电子输运性能．单根碳纳米管可被用作微电子领域中的三极管、场效应晶体管材料和未来 集成电路中的导线材料；碳纳米管的一维线结构缺陷非常少，且具有化学活性低、机械强度大、头 部形状规则、高的力学强度等优异性能，可用作扫描探针的针尖材料；其原材料价格低廉，单层或 多层碳纳米管经过掺杂改性处理后，可储存高达约5％(质量)的氢气，研究认为利用其储氢性能 可用作新型汽车的能源材料。最近的研究也表明，由于碳纳米管具有的半导体性能，且在不同的气 体环境中显示的导电性有较大的差别，有望被用作探测元件的传感器材料，应用前景非常广阔口。J。 利用各种方法和技术制备碳纳米管的报道层出不穷，目前的制备方法主要有：电弧法、激光蒸 发法、火焰法、化学气相沉积法、超临界流体技术、太阳能法、水热法等。其中等离子体增强化学 气相沉积(PCVD)法具有干法、污染少，生长速率快，设备工艺简单，可在大面积、低温的条件 下生长纯度高、大长径比的碳纳米管，且生长的碳纳米管可具有定向生长的特点u”…。本文首先 利用电子束蒸发装置在单晶硅片上沉积约13rim厚的Ni层作为催化剂，然后利用介质阻挡放电等 米管，并通过SEM和TEM对合成碳纳米管进行了表征。 、 2实验部分 Ni催化剂层的制备是在电子束蒸发设备中进行的。将单晶硅片用酒精和丙酮超声波分别清洗 10分钟后放人电子束蒸镀i赂中，沉积约13rim厚的Ni层作为生长碳纳米管的催化剂，设备的本 x 底真空为1 10一a，沉积气压为8．0x103Pa。然后将NYSi样品分别经酒精和丙酮超声波清洗10 分钟，放人等离子体反应室中进行碳纳米管的合成实验。 1涸蒙百慕匿西翮嗣弭————一 第六届奎圈表面工租学术套议 兰州 201)6丰e．11 ． 图1DBD设备电极结构简图 本文实验中所使用碳纳米管合成装置具有自己独特的优点旧，具体结构如图1所示。上面的电 极是一块直径为15mm的圆形可伐(Kovar)合金焊接在表面金属化的陶瓷片上，陶瓷片上有两道堤 坝状的突起，以防止边缘放电，陶瓷下表面抛光；下面的电极是一个用不锈钢制作的栅网，该栅网接 地。样品台上的基片表面与下电极栅网的距离约为4mm，基片由加热丝加热，同时用—个K型的热 电偶实时监测基片的温度。DBD放电等离子体中产生的活性粒子可以借助气流和扩散通过栅网到 达基片的表面。该装置Kt．-育等离子体下游区沉积的特点，放电电流直接作用于网状下电极，而不是 直接作用与基材上，等离子体放电产生的活性物种和粒子，通过扩散作用到下游区的基材上，进行 薄膜材料的生长沉积。在等离子体的下游区能够得到比较均匀的活性等离子体物种，从而可以有利 于薄膜材料的生长。 表1不同NH，气比例和温度条件对合成碳纳米管的影响 4一良好；3一较好；2一成膜较薄；1一仅能生长；O一没有生长