课程名称半导体物理.doc

课程名称：半导体物理 课程编码：7005301 课程学分：4学分 课程学时：64学时 适用专业：微电子学 《半导体物理》 Semiconductor Physics 教学大纲 课程性质与教学目标 性质:《半导体物理》是微电子学及半导体物理专业的必修课，该课程在学习《固体物理》、《量子力学》等课程的基础之上，使学生掌握半导体物理的基本概念，了解光电子器件、技术的基本概念、基本理论，为今后从事相关工作打下基础。 教学目标：通过对半导体晶体结构和能带理论，半导体中电子状态及载流子的输运理论等的学习，掌握半导体P-N结、金-半接触和半导体表面性质等基本知识，培养学生并能应用它们解决后继专业课基本理论问题和今后工作遇到的实际问题。 教学基本内容及基本要求 第一章 半导体中的电子状态 （一）基本要求 1、掌握：电子状态和能带，有效质量和导电机构 2、理解：电子 3、了解：晶体结构，硅和锗的能带结构 （二）教学及考核内容 1.1 半导体的晶体结构和 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 1.4 本征半导体的导电机构 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 （一）基本要求 1、掌握：硅、锗晶体中的杂质能级，Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级、了解：缺陷、位错能级 （二）教学及考核内容 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 第三章 半导体中载流子的统计分布 （一）基本要求 1、掌握：本征半导体，杂质半导体载流子浓度的计算 2、理解：费米能级和载流子的统计分布；杂质半导体的载流子浓度 3、了解：状态密度，简并半导体 （二）教学及考核内容 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3本征半导体的载流子浓度 第四章 半导体的导电性 （一）基本要求 1、掌握：载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射 2、理解：迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率与杂质浓度和温度的关系 3、了解：电导率与迁移率的关系 （二）教学及考核内容 4.1载流子的漂移运动和迁移率 4.2载流子的散射 4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4电阻率及其杂质浓度和温度的关系 第五章 非平衡载流子 （一）基本要求 1、掌握：非平衡载流子复合率的计算；掌握连续性方程在实际器件中的运用 2、理解：准费米能级的含义 3、了解：非平衡载流子的产生、复合及动态过程，非平衡载流子寿命的意义 （二）教学及考核内容 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2非平衡载流子的寿命 5.3准费米能级 5.4 复合理论 5. 载流子的扩散运动 5. 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 5. 连续性方程式 第六章 pn结 （一）基本要求 1、掌握：p-n结接触电势差和载流子分布的计算；p-n结的电流电压特性 2、理解：p-n结； 3、了解：p-n结及其能带图；p-n电容；p-n结的击穿 （二）教学及考核内容 6.1pn结及其能带图 6.pn结电流电压特性 6.3 6.4 pn结击穿pn结电容 第七章 金属和半导体的接触 （一）基本要求 1、掌握：金属接触及其能带图 2、理解： 3、了解： （二）教学及考核内容 7.1金属半导体接触及其能带图 7.2金属半导体接触整流理论 7.3欧姆接触 第八章 半导体表面理论 （一）基本要求 1、理解：半导体的表面状态，Si-SiO2系统的性质 2、了解：表面电场效应及MIS电容 （二）教学及考核内容 8.1表面态 8.2 MIS结构的电容-电压特性 本课程与其它相关课程的联系与分工 先修课程：《普通物理》、《微电子物理基础》 后续课程：《电子器件》、《半导体工艺原理与技术》等 实践性教学内容安排与要求 实验内容与学时： 1、热探针法判断导电类型（验证性、设计性）　　　　　 2学时 2、霍尔系数及电阻率的测量（设计性） 3学时 3、半导体材料的方阻和电阻率的测量研究（设计性） 3学时 4、PN结C-V(电容－电压)特性测试（综合设计性） 3学时 5、PN结温度特性的测量（综合设计性） 3学时 6、椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率（验证性） 　 2学时 合计：　　　　　　　　　　　　　　　　　 16学时 课程各教学环节和各篇章(节)学时分配 总学时为64学时，其中课程讲授48学时，实验16学时。 课程各章节学时分配如下： 教学内容 讲授 实验 上机 第一章 半导体中的电子状态 6 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2 第三章 半导体中载流子的统计分布 10 半导体的导电性 实验 霍尔系数