课程名称微电子核心课程提高.doc

课程名称： 课程编号： 课程学分：.0 适用专业：微电子学 微电子核心课程提高 一、课程性质与任务： 性质：《》是微电子学专业修课，该课程在学习《物理》、《》等课程的基础之上，使学生掌握半导体物理的基本概念，电子器件的基本理论。 任务：本课程要求学生掌握半导体晶体结构和能带理论，半导体中电子状态及载流子的输运理论。对半导体的基本性质，包括半导体P-N结、半导体表面性质等能进行一定的分析以上内容要求概念准确，基本理论和运算熟练，。 二、课程内容及要求： 教学内容： 1.1 半导体的晶体结构和结合性质 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 1.4 本征半导体的导电机构 1.6 硅和锗的能带结构 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 教学要求 掌握：电子状态和能带，有效质量和导电机构, 晶体结构，硅锗的能带结构 2 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 教学内容： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 教学要求 1、掌握：硅、锗晶体中的杂质能级，Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2、了解：缺陷、位错能级 第3章 半导体中载流子的统计分布 教学内容： 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度 1、掌握：本征半导体，杂质半导体载流子浓度的计算2、理解：费米能级和载流子的统计分布；杂质半导体的载流子浓度状态密度，简并半导体 4.1载流子的漂移运动和迁移率 载流子的射迁移率与杂质浓度和温度的关系4.4电阻率及其杂质浓度和温度的关系4.5 强电场下的效应、热载流子 4.6 多能谷散射、耿氏效应 教学要求 1、掌握：载流子的漂移运动，迁移率载流子的射2、理解：迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其杂质浓度和温度的关系了解：电导率与迁移率的关系 非平衡载流子.1非平衡载流子的复合 准费米能级.4 复合理论 5.5 载流子的扩散运动 5.6 载流子的漂移运动 1、掌握：非平衡载流子复合率的计算；掌握连续性方程在实际器件中的运用2、理解：准费米能级的含义了解：非平衡载流子的产生、复合及动态过程非平衡载流子寿命的义 pn结 教学内容： 6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性 6.3 pn结电容 6.4 pn结击穿 教学要求 1、掌握：p-n结接触电势差和载流子分布的计算；p-n结的电流电压特性2、理解：p-n结电流电压方程式的推导；对非平衡态状态的p-n结能带变化分析准费米能级的含义了解：p-n结及其能带图；p-n；p-n结的击穿.1金属半导体接触及其能带图 7.2 MIS结构的电容-电压特性 7.3 双极型晶体管（BJT） 7.4 场效应晶体管（MOSFET） 三、本课程与其他相关课程的联系与分工 先修课程：《普通物理》、《物理》 后续课程：《》、《半导体工艺原理与技术》等 四、本课程在课外练习方面的要求 五、本课程在使用现代化教学手段方面的要求 课程教学采用计算机多媒体投影，内容采用Powerpoint与板书相结合。 六、教材及参考书： 教材：刘恩科、朱秉升等编，《半导体物理学》，工业出版社参考书：《半导体物理》,工业出版社, 七、本课程成绩的考查方法及评定标准 八、 课程各章节学时分配如下： 教学内容 讲课 第1章 半导体中的电子状态 4 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 2 第3章 半导体中载流子的统计分布 6 第4章 半导体的导电性 4 第5章 非平衡载流子pn结 6 第7章 金属和半导体的接触、半导体表面理论 4 合计 32 大纲撰写人： 　　　　　　　　　　　　　　　 大纲审阅人：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 学科负责人： 　　　　　　　　　　　　　　　　　 学院负责人：　　　　　　　　　　　　　　　 制（修）订日期：20年月