基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte+Carlo模拟Ⅱ模拟结果与讨论.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 of$ichuan ScienceEdition) V01．42Issue2 第42卷增刊2 JoumaI University(Natural 文章编号：0490．6756(2005)022．0134-04 薄膜同质外延生长的 基于分子源SrTi03 Monte Carlo模拟II：模拟结果与讨论 张青磊“，朱基亮，谭浚哲，于光龙，吴家刚，朱建国，肖定全 (1ⅡlJrl大学材料科学系，成都610064) 摘要：根据本文作者提出的以SrTi03为代表的ABQ型氧化物薄膜成长机帝j以庭基于Monte Carlo方法的三雏模型取模拟算法(详见另文)，鳊制了模拟软件，模拟了不同沉积速率、不同的 基底温度下的薄膜组成．模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度，并椎据一 SrO分子和Ti02分子的数目逐渐减少，当超过某一临界温度，薄膜为完全的SrTi03薄膜；而 且随着沉积速率的升高，阿质外延生长SrTiOs的最低温度也随之升高． 关键词：MonteCarlo模拟；薄膜生长；分子塬；SrTiO目薄膜；氧化物 中雷分类号：0484 文献标识码：A 1引言 作为材料科学和凝聚态物理研究的理论方法之一，计算机模拟是一种重要的研究手段．目前，用于模 拟薄膜生长的方法主要有连续方程理论和数值模拟u】．前者主要有速率方程和连续性台阶演变动力学理 法具有相对较小的计算量，较大的可模拟的时间尺度和空间尺度，而被广泛采用． 目前有关用MonteCarlo方法模拟薄膜生长的主要局限在同质外延或异质外延的金属或半导体薄膜． 扶最早的扩散凝聚模殪J(DLA)晗】，蓟得到改进的扩展的DLA模型13j，成功地模拟了薄膜生长初期不同条 件下的分形和团状岛，目前，在三维空闻ee模拟薄膜生长已成为一种趋势，Huang等人L4，纠针对电路中大 Rubio等人用Monte 品格中模拟薄膜生长的模型，模拟了不同织构之间的竞争．Emilian0 Carlo方法模拟 了三维多晶薄膜的沉积和退火，并研究了温度、沉积速率、附着力对薄膜表面形貌的影响【6】．但是，目前使 用MonteCarlo方法对氧化物薄膜生长的模拟却鲜有报道．我们实验室对An03型氧化物的初期生长时， 岛的尺寸、形态以及温度、沉积速率对薄膜的生长模式进行了系统的研究【7，8J，但尚未涉及薄膜外延生长 成分，着重研究了在沉积速率和基底温度对组成成分的影响，并由此判断出在一定沉积速率下，外延生长 SrTi03薄膜的最低温度，并分析了不同沉积速率对最低外廷生长温度的影响． 收稿日期：2005。09—15 基金项目：国家安全973计划硬目基金(Z0601) 作者简介：张青磊(1980一)，男，山东青岛人，硕士研究生，师从肖定全教授，主要从事功能材料物理与化学研究 cn *通讯作者，E—mai|：珥heamfly@yahoo．∞m 增刊2 张青磊等：基于分子源币q薄膜同质外延生长的Mm艳＆rlo模拟II：模拟结果与讨论135 2模拟参数的选择 模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度，这两个参数是根据一般研究中采用的具 体实验条件选取的．由于我们在另文中提出的AB03型薄膜的生长机制仅适用于沉积速率极低的情况，并 ， ●。 3模拟结果及讨论 j 根据我们提出的基于MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法，编制了模拟 软件，软件的编制方法和软件的具体内容本文从略． 例是考虑到符合靶材化学配比