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基于动态浮栅技术的输入端ESD保护.pdf
四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 2008年12月
基于动态浮栅技术的输入端ESD保护
李建国 刘娟樊航蒋苓利
(电予科技大学电予薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054)
摘
真中加入0．35um的CMOS工艺库，仿真结果表明此动态浮栅结构的抗HBM能力大于8KV．
8KV
关键词：动态浮栅ESD保护HBM
For ESDProtection
Design
Dynamic·-Floating-·GateInput
LiJianGuoLiuJuanFan
HangJiangLingLi
ThinFilmsand Scienceand
(StateKeyLaboratoryofElectronic IntegratedDevices，UniversityofElectronic
Technology
ABSTRACT：A ESD circuitis tothe ESD
dynamic··floating-gateprotection proposedaccordingwhole-chip
add CMOScell toourmixed·modesimulation．Thesimulationresult
protectiontheory．We0．35rtm library proves
HBM
thatthisstructurecanstand failure to8KV．
voltageup
ESDProtectionI-IBM8KV
Keywords：Dynamic··Floating··Gate
内部芯片。
1 引 言
图l所示为人体放电模型(HBM)的．T业标
静电放电(Electrostatic 准等效电路l引。其中人体的等效电为100pF，等
Discharge，ESD)是
效电阻为I．5Kfl，DUT是待测器件。
造成集成电路火效的+‘个主要原因IIi。人体所携
带的静电可高达数千伏，如果接触到集成电路的
引脚，静电放电时产生的瞬间电流可能会烧毁这
个电路内部的器件，因此，现在的集成电路都要
求带有ESD保护电路。
本文提出了一种与CMOS工艺兼容的动态
浮栅ESD保护电路，并用MEDICI进行混合仿真，
结果表明此动态浮栅结构可达到8KV的ESD保
护能力。
图1HBM的工业标准等效电路
2 ESD性能的测试方法
由于电荷积累有正负之分，因此对每’‘个IC
管脚而言，HBM的放电有四种ESD测试组合13I。
在：占片的ESD防护性能测试中，人体放电模
型是最通常也是最基本的模型。人体放电模型的
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