文献汇报-刘江昊20151017-1概要.ppt

先 进 材 料 研 究 室 Advanced Materials Laboratory 文 献 汇 报 螺位错辅助管状和棒状HfB2晶体的自发生长 Screw Dislocation Assisted Spontaneous Growth of HfB2 Tubes and Rods 主要研究内容 * 采用溶胶-凝胶/碳热还原法合成HfB2粉体； 1 1 合成条件（反应时间、Hf/C和Hf/B ）对合成的HfB2粉体的纯度和形貌的影响； 1 2 1 1 3 管状HfB2晶粒的生长机理（螺位错的影响）。 * 硼化铪(HfB2)陶瓷的特点及应用 1.研究背景 应用 切削工具 耐磨构件 熔炼坩埚 轻质装甲 可加工器件 密排六方结构 兼具离子键和共价键 结构 性能 高熔点 高力学性能 高温稳定 高硬度 电、热良导体 * 硼化铪(HfB2)陶瓷粉体的制备方法 1.研究背景 化学法 (Chemical routes); 反应法 (Reactive process); 碳热还原反应法 (Carbothermal reduction reactions) 各向异性HfB2晶体的制备条件 存在金属催化剂，制备棒状HfB2，V-L-S机理； 不存在金属催化剂，制备各向异性HfB2，机理不明； * 制备HfB2粉体的流程图 主要化学反应 气氛：Ar+1%H2 用途：去除Cl-1和残余氧 * 原料配比 原料化学计量比：Hf:B:C=1:2:5 * 观点：中空管状？ 证据不足 * 反应机理图 说明：碳不能还原氧化硼，可能在高温下反应生成碳化硼(B4C)。 观点：此层阶状形貌为晶体解理面，产生于相邻颗粒间的传质。 1300OC以上温度产生HfC和B4C相。 * 特征形貌表征及分析 当纳米材料通过（相邻颗粒）的特定晶面定向结合的方式生长时，任何界面处的“取向差”均将导致位错产生。 升高温度和延长保温时间均将促进团聚颗粒粗化。“Oriented attachment” “颗粒重排” 、 “晶体异常长大” 在B2O3熔体存在的条件下，此类缺陷（位错）的 存在有助于晶体取向生长。 * 机理讨论 此棒状或管状HfB2晶体的形成机理并非V-L-S机理，而是位错生长机理(dislocation growth mechanism)。 位错驱动的各向异性晶体（一维）生长是由于螺位错沿取向方向自维持生长所产生的。 理论基础 KVS：扭折点为低能量成核点位。（曲率与表面能） BCF：扭折表面在生长过程中将持续产生新的扭折表面，而不会合并扭折表面以形成平直的表面。 PBC: (周期性键链理论) 晶体沿非取向面生长的几率随 晶体尺寸的增大而增加。 在低过饱和度的条件下，HfB2晶体的叠层生长方式被抑制，原因是产生新的表面需要额外的表面能。故其生长过程仅产生于螺旋位错区域，从而生成高度取向的一维晶体。 * 应变能分析 棒状或管状晶体的高应变能高于形成表面的表面能。从而使晶体生长成为中空状结构。 * 保温时间的延长促进棒状HfB2晶体的含量上升。 * B2O3浓度的增大促进棒状HfB2晶体的含量上升。 * 当反应物中不存在碳时，即使增加硼的用量也不能产生棒状HfB2晶体。(并且不能制得纯相HfB2) * * 先 进 材 料 研 究 室 Advanced Materials Laboratory