介质微扰腔.ppt

代入 ，有 研究通过式谐振腔，前后均有带孔膜片，一端接电源；一端接负载。且两端认为是匹配的，膜片认为是并联导纳。 1.带孔腔的品质因数 于是可以得到 2.谐振波长 可知 矢量循环公式 对于(16)式左边 可移至右边 清楚得到 或 亦处于法向 又有 一、腔内介质的微扰 由矢量点积可得两组方程 由矢量公式 一、腔内介质的微扰 把上面结果合在一起考虑为 一、腔内介质的微扰 再对两边作体积分 应用Gauss定理 一、腔内介质的微扰 一、腔内介质的微扰 对于理想导体的 壁条件有 所以得到 现在利用 在 内和 外不同的条件 一、腔内介质的微扰 (16) 上式中已计及 一、腔内介质的微扰 如果令 一、腔内介质的微扰 只要 是一阶小量，即又有 满足?W是一阶小量的要求是 为一阶小量， 不很大，或者说 为一阶小量(这两者只要满足其中一个条件即可)。 一、腔内介质的微扰 对于 积分的能量 ，总有 ，而在 内如果相应 表面 均处于切向，则也有 且得到 如果在 内相应 表面 均处于法向，则 一、腔内介质的微扰 于是 一、腔内介质的微扰 上两种均属讨论的特殊情况，对于一般公式可写出 介质样品的 和 一、腔内介质的微扰 其中 在微波工程中，矩形 腔中间放介质样品柱(其中， 取奇数)即构成介质样品腔 介质样品腔 二、介质样品腔 这种方法已规定为国标，已知 对于实际应用的情况是：利用未放介质样品腔时的频率 和放介质样品对应 求出介质 。 利用未放介质样品时腔的品质因数 和放介质样品对应的 求出介质的 。 二、介质样品腔 若写出 则有 实际上介质样品 很小，应用介质微扰结果 二、介质样品腔 一、圆柱腔中的场和l0 在波导中，横向分量用纵向分量表示得到不变量矩阵 于是有 一、圆柱腔中的场和l0 注意到谐振腔与波导的不同，重新作变换 ，即 一、圆柱腔中的场和l0 可以得到TEmnp模场表达式 一、圆柱腔中的场和l0 谐振波长l0 其中最主要的 比较可知l＜21R时，(l0) TM010是最低模式。 一、圆柱腔中的场和l0 二、圆柱腔的波形因数 定义 为波形因数. 分别表示TEmnp和TMmnp的波形因数。 耦合腔 Coupled Cavity 矩形腔、圆柱腔作为传输线腔，已用场论(复频率)方法和网络(推广cullen)方法作了分析，不论是什么横截面的腔，它们都可以归纳为理想腔或孤立腔，其最主要特点是四周封闭与外界不存在能量交换，但是，实际谐振腔必须要与外界进行能量交换——这就是讨论耦合腔的必要性。 (a) 理想腔 (b) 耦合腔 理想腔与耦合腔 两种研究方法 一、z方向导体的端壁损耗 网络方法的特点是把传输腔的损耗分解成两部分—侧壁有耗传输线和端壁导 体损耗。为此研究四周为理想导体，而中间填充 媒质的波导，里边传输 波。 充满σ媒质的矩形波导 这时的Maxwell方程 一、z方向导体的端壁损耗 而对应的Helmhomtz方程是 其中 一、z方向导体的端壁损耗 根据分离变量法设 ，且研究的 波 为常数。 一、z方向导体的端壁损耗 上式是良导体填充 的 波精确 表达式，考虑 到 可知 再一次应用Maxwell方程 一、z方向导体的端壁损耗 于是有 也即 由于良导体近似条件，导体 波的波阻抗与平面波相同。 这是对一般传输型谐振腔 值与场论所得结果的一种验证。 已知： 检验矩形波导 模 二、矩形腔 模的 值 将此结果代入 值 二、矩形腔 模的 值 计及 前面的场论结果与此一致。 即使是推广cullen法，其中网络参数 和 也都是由场论计算出来的。 二、矩形腔 模的 值 带孔耦合腔 三、带孔耦合腔的品质因数 和谐振波长 膜片网络 三、带孔耦合腔的品质因数 和谐振波长 带孔腔的孔损耗与端壁损耗相比，前者是主要矛盾可以不再计及 ，推广cullen公式 其中， ——代表归一化损耗电阻， 三、带孔耦合腔的品质因数 和谐振波长 (a) (b) 带孔腔网络 三、带孔耦合