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基于非均匀颅骨头模型的电阻抗断层成像算法初步研究.pdf
中国科协第四届优秀博士生学术年会论文集
基于非均匀颅骨头模型的电阻抗断层成像算法初步研究+
倪安胜董秀珍杨国胜付峰汤池
第四军医大学生物医学工程系,西安,710032
摘要电阻抗断层成像(EIT)可以对脑部电阻率的变化进行成像.在脑部EIT图像重建中,
通常采用四层同心圆头模型,这种模型认为颅骨是一个均匀整体。本文提出了一种基于非均
匀颅骨头模型的二维EIT动态成像算法,并进行了脑出血成像仿真研究。成像结果显示,与
四层同心圆头模型成像结果相比较,采用非均匀颅骨头模型时,EIT成像质量与目标定位准
确性均有一定程度的提高.成像结果表明,提高先验头模型电阻率分布的准确性是一种有效
的提高脑部ErI成像质量的方法.
关键词生物物理学;电阻抗戍像;算法;非均匀颅骨头模型
引 言
电阻抗断层成像(Err)是一种非侵入式的成像方法。它基于四电极阻抗测量原理【11,通过对被测目
标的边界施加激励电流(或电压),获得被测目标的边界电压(或电流),从而计算出被测目标内部的电阻
抗变化或分布,进行成像。EIT可以对脑部电阻率的变化进行成像,有关研究表明:EIT方法可以检测出
人体大脑功能性活动引起的电阻抗变化【2.31,也可以检测出由脑部出血、缺血引起的电阻抗变化[41。
在脑部EIT图像重建中,起初采用的是均匀圆头模型,目前通常采用四层同心圆头模型4捌。该模型由
四层同心圆构成,由外及内分别为:头皮层、颅骨层、脑脊液层及大脑,并假设这四层生物组织是均匀的,
具有各向同性。然而,有研究[61表明颅骨的电阻率可分为三层进行测量:内、外密质骨及中间疏松骨。其
电阻率各不相同;此外,颅骨骨缝的存在及其厚度不均,也使不同区域处颅骨的电阻率差异明显17j。在脑
部EIT图像重建中,具有高电阻率的颅骨对激励电流有较大的阻碍作用,对脑部EIT成像影响较大。因此,
颅骨不能简单地作为一个均匀整体对待,而应当在成像中充分考虑颅骨电阻率非均匀分布的性质。
我们建立了一种更接近真实电阻率分布的非均匀颅骨头模型,该模型基于四层同心圆头模型,将颅骨
分为内、外密质骨及中间疏松骨三层,并包含了颅骨骨缝及厚度不均等特性。我们采用修正的
与四层同心圆头模型成像结果相比较,采用非均匀颅骨头模型时,EIT成像质量与目标定位准确性均有一
定程度的提高。当先验非均匀颅骨头模型中不具有颅骨骨缝或厚度不均这些特性时,EIT重建图像质量均
略有下降,但均强于采用四层同心圆头模型的成像质量。成像结果表明,提高先验头模型电阻率分布的准
确性是一种有效的提高脑部EIT成像质量的方法。
1 研究方法
1.1正问题
我们只考虑场域内的电阻率分布。若EIT所研究的区域为Q,其边界为aQ,区域中电位分布函数为①,
’国家自然科学基金资助项目
生物技术
电阻率分布函数为,.,则根据电磁场理论,EIT所研究的问题可描述为拉普拉斯方程:
V.(r一1V中)=0在Q内
其边界条件为:
,一l娑:一.『在aQ上,‘_=一.,在aQ上 (2)
dl,l
①I施=①o (3)
其中,①。、n和_『分别为场域边界的电位、单位法向矢量和法向电流密度。对该方程进行等价变分,利
Element
用有限元方法(Finite
对线性方程组求解,也就是EIT正问题的求解过程。
1.2逆问题
重构中的平方和误差函数,求其最小值时所对应的电阻率分布。目标函数通常构造如下:
T(f—V。) (4)
西(r)=去(f—Vo
二
其中,r是场域电阻率分布矩阵,v.为当前场域边界电压矩阵,f为由电阻率分布r通过有限元方法正向计
算得到的边界电压分布矩阵
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