溅镀示意图.ppt

化學(二)期末報告：電漿原理與濺鍍系統介紹 化材三甲 組員：陳簡佑 莊孟霖 謝志詠 氣體電漿化 氣體在特殊環境影響下，氣體分子會分解原子。 再解離形成電子團與帶電的離子。 且維持電中性。 離子化的氣體稱之為電漿(plasma)。 電漿化條件 極高溫的環境下(6000K)會形成電漿。 真空低壓情況下，利用直流、交流、射頻電波(Radio Frequency)等放電現象。激發系統內的氣體分子。 施加電流為較常用的方式。 電漿化例子 一般用來形成電漿的工作氣體為氬氣(Ar)，當系統內的游離電子以高電位撞擊至氬氣時，就會產生氬離子。 Ar + e-(快) → Ar+ + e-(慢) + e-(慢) 快速電子與氬氣碰撞後，能量減少，而形成兩個慢的電子，又因為外加高壓電，這兩個電子又再被加速成為下一次的反應快電子，如此反覆，很快的我們將會得到很多的離子與電子，此現象俗稱為氣體崩潰(gas breakdown)。 電漿示意圖 電子撞擊 e-(快) e-(慢) 變慢的電子經外加高壓電， 下次又被加速成快速電子。 Ar Ar+ 濺鍍系統-原理 利用惰性氣體離子在電場及磁場的作用之下，使惰性氣體分離成電漿態，而具有足夠能量的氣體離子(Ar+)被負偏壓加速撞擊至陰極的靶材上，因入射離子的能量打到靶材上，使得陰極靶材的原子有足夠的能量脫離靶材，沉積在接地電位的基板上。 濺鍍法分類 濺鍍法常用為兩種： 直流濺鍍(DC Sputtering) 射頻電鍍(RF Sputtering) 濺鍍法製成薄膜 以氧化鋅鋁(AZO)為例，AZO是以氧化鋅(ZnO)為主體，摻入部分鋁(Al)元素取代鋅(Zn)，以增加導電性之半導體材料。 將AZO至於陰極充當陰極靶材，利用濺鍍法將陰極靶材中分子撞擊脫離，沉積於接地之陽極基板。 濺鍍示意圖-離子撞擊 陰極靶材 (氧化鋅鋁) Ar+ 基板 Ar+ AZO AZO 陽極 陰極 濺鍍法示意圖 資料來源 主要資料來源： 國立東華大學電機工程學系碩士論文－硒化銅銦鎵太陽能電池中透明導電摻雜鋁之氧化鋅製備及特性分析。 黃氣聖。民國96年7月。 指導老師：黃家華博士。 參考資料 其他參考資料： 透明導電薄膜簡介： 蔡有仁、王納富、許峰豪 正修科技大學 電子工程研究所 物理氣相沉積技術-濺鍍鍍膜： .tw/PVD_Sputtering_Deposition_ch.html