导电聚合物对纳米半导体的光致发光的增强效应及其机理.pdf

第24卷，第11期 光谱学与光谱分析 2004年11月 and Noveanber．2004 Spectr∞copyS1)ectralAnalyi8 导电聚合物对纳米半导体的光致发光的增强效应及其机理 周剑章，席燕燕，郭洪辉，林仲华’ 厦门大学化学系，固体表面物理化学国家重点实验室．福建厦门361005 光增强效应。并提出了一种新的光致发光增强的机理。 主题词光致发光增强；纳米半导体；导电聚合物 中图分类号：0646文献标识码：A 文章编号：10004)593(2004111．0253—02 在分子荧光中，猝灭剂分子通过能量转移或电荷传递机 ZnO纳米晶，五纳米线，CAS纳米线的发光均有增强作用。 理使荧光猝灭；相反地，若不是猝灭剂分子，分子也有可能 通过这两种途径使荧光增强，例如DNA凝胶电泳试验中， 的PL谱，zro的PL谱可能出现两个谱带：紫外区发光谱带 标记的荧光染料溴乙啶因分子平面插入双链DNA分子中， 为激子发光，较弱，可见区谱带产生的可能机理足光生电子 DNA向溴乙啶转移吸收的紫外光能量而使溴乙啶荧光增强。 和空穴在表面复合发光，或是光生空穴先被表面态俘获．后 在有机电发光中，电发光有机元件材料掺杂合适的荧光或磷 隧穿到深能级陷阱(氧离子空位)与光生电子复台发光。从图 光染料后提高了发光效率，也是因这些掺杂染料的能量转移 可见，纳米ZnO的可见发光谱带受到增强，尤其是同轴纳米 缘故“J。在半导体纳晶光致发光(PL)和电发光(EL)中，利用 芯／壳型(∞一曲栅type)纳米晶增强发光效率，宽禁带的纳米同轴纳米线的PL谱，紫外发光谱带为带缘(hndedge)发光， 半导体壳起了钝化表面和限域载流子作用，使纳米半导体芯 可见发光谱带为表面态复合发光，从图可见，紫外发光得到 发光增强[2，…。 较大增强，尤其是同轴纳米线。 1实验 实验中发现导电态(部分氧化还原态)聚苯胺(PAND对 j{自l与 Wavelength?rim of Fluoreseence Fig．2 spectra Wavelength／rim nanawi- FluorescenceofZaO Fig．1 spectra sol(a)。ZnOfilm(b)and coaxial n(a)andCdS-PANInanowire(b) ZnO--PANI 330 campesitefilm(c)(excitedlint)；in- nanowire set：ZnO coaxial array(a)ZnO--PANI nanowh-e exitedlml AkO 300 m-r